飛兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V應(yīng)用
[導(dǎo)讀]飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出7款全新MicroFET產(chǎn)品，為面向30V和20V以下低功耗應(yīng)用業(yè)界最廣泛的小外形尺寸器件系列增添新成員。這些MicroFET產(chǎn)品在單一器件中結(jié)合飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench和封
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出7款全新MicroFET產(chǎn)品，為面向30V和20V以下低功耗應(yīng)用業(yè)界最廣泛的小外形尺寸器件系列增添新成員。這些MicroFET產(chǎn)品在單一器件中結(jié)合飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench和封裝技術(shù)，比較傳統(tǒng)的MOSFET在性能和空間方面帶來更多優(yōu)勢。例如，它們采用2mmx2mmx0.8mm模塑無腳封裝(MLP)，較之于低壓設(shè)計(jì)中常用的3mmx3mmx1.1mmSSOT-6封裝MOSFET體積減小55%及高度降低20%。相比SC-70封裝的傳統(tǒng)MOSFET，這些新產(chǎn)品更具有出色的功耗和傳導(dǎo)損耗特性。全新MicroFET器件兼具緊湊封裝和高性能特性，成為電池充電、負(fù)載開關(guān)、升壓與直流/直流轉(zhuǎn)換，以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。
飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)ChrisWinkler表示：“飛兆半導(dǎo)體的MicroFET產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件，飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的MicroFET產(chǎn)品選擇，能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能，并同時(shí)節(jié)省線路板空間。”
飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)ChrisWinkler表示：“飛兆半導(dǎo)體的MicroFET產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件，飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的MicroFET產(chǎn)品選擇，能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能，并同時(shí)節(jié)省線路板空間。”
在這些新MicroFET產(chǎn)品中，F(xiàn)DMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ和FDMA1025P分別具備不同的配置，集成了單及雙P溝道PowerTrenchMOSFET與ESD保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能，F(xiàn)DMA1023PZ更可保證以低至1.5V的柵極電壓(VGS)提供低額定導(dǎo)通阻抗RDS(ON)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
另外三款產(chǎn)品集成了N或P溝道MOSFET和肖特基二極管。當(dāng)中，F(xiàn)DFMA2P029Z和FDFMA2P857集成了P溝道MOSFET和肖特基二極管，并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(VF)和反向泄漏電流(IR)，能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關(guān)重要的充電應(yīng)用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N溝道MOSFET和肖特基二極管組合，這種配置非常適合于升壓應(yīng)用。
這些產(chǎn)品采用無鉛封裝，能夠滿足甚至超越ICP/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
供貨：現(xiàn)貨
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