技術(shù)、產(chǎn)能齊發(fā)力,宏力半導(dǎo)體2007年可望繼續(xù)快跑
2006年,公司重點項目“深亞微米NOR型閃存技術(shù)與工藝開發(fā)”的項目以其國際領(lǐng)先的技術(shù)水平、突出的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益被評為“上海市科技進(jìn)步一等獎”。這一項目的科技成果填補了國內(nèi)多項空白,使中國的閃存生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到了國際先進(jìn)水平,并已得到了廣泛應(yīng)用。例如,宏力0.25微米嵌入式閃存工藝已經(jīng)實現(xiàn)了成熟量產(chǎn),其中一款應(yīng)用于日本某汽車大廠引擎控制芯片,這也是中國生產(chǎn)的首款應(yīng)用于高端汽車電子的集成電路產(chǎn)品。宏力0.12微米閃存工藝進(jìn)入試產(chǎn)。未來2~3年,宏力將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上,積極開發(fā)0.18/0.15微米的自對準(zhǔn)嵌入式閃存等多項新工藝,以期成為該領(lǐng)域首屈一指的制造廠商。
宏力技術(shù)研發(fā)部門已在2006年通過了“上海市企業(yè)技術(shù)研發(fā)中心”認(rèn)定,擁有大量來自于美國、新加坡及臺灣地區(qū)擁有二十年以上經(jīng)驗的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)精英和國內(nèi)優(yōu)秀的技術(shù)人才。去年一年中共有約100多個產(chǎn)品tape out,較之2005年增長50%。目前,宏力能提供0.25/0.22/0.18/0.15微米及以下的多種技術(shù)工藝,產(chǎn)品類型涵蓋邏輯、混合信號、射頻、高壓器件,掩模存儲器及靜態(tài)存儲器、閃存等。
宏力半導(dǎo)體制造有限公司充滿信心地表示,2007年將是公司夯實基礎(chǔ),繼續(xù)發(fā)力快跑的一年。