元器件產(chǎn)業(yè)：一切很美 只為生活
綠色的誘惑
如果要人選擇最喜歡的顏色，最受歡迎的應(yīng)該是綠色。當(dāng)?shù)厍蛏暇G色越來(lái)越少的時(shí)候，人們?cè)桨l(fā)展現(xiàn)出自己對(duì)綠色的渴望。對(duì)于已經(jīng)逝去的2006來(lái)說(shuō)，RoHS無(wú)疑是電子領(lǐng)域最為關(guān)注的詞匯，而對(duì)綠色電子的呼喚將從2007年開(kāi)始一直延續(xù)下去……
電子垃圾的泛濫是RoHS誕生的誘因，它主要是在電子制造過(guò)程中禁止使用鉛、汞、鎘六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴聯(lián)苯醚，其中無(wú)鉛焊接和無(wú)鉛封裝對(duì)整個(gè)電子制造傳統(tǒng)工藝提出新的挑戰(zhàn)。這不僅僅是焊錫一個(gè)環(huán)節(jié)的問(wèn)題，從焊接材料開(kāi)始，制造流程、各種焊接工藝、線路板裝配、封裝材料、封裝工藝以及助焊劑整個(gè)制造業(yè)都面臨著一場(chǎng)新的技術(shù)革命。而革命的開(kāi)始不僅僅是在全球綠色電子的呼聲下展開(kāi)，更為重要的是全球電子產(chǎn)品的成本在不斷地下降，不變革意味著滅亡，變革意味著抽筋剝皮，電子制造業(yè)斷臂求存的選擇加劇了對(duì)新材料的渴求，而即將到來(lái)的2007注定是焊接工藝革命的高潮。
熔點(diǎn)低與可靠性高，是對(duì)新材料的主要要求，而不斷降低的封裝尺寸加劇了實(shí)現(xiàn)要求的障礙。目前，SnAgCu合金是比較主要的替代品，但在熔點(diǎn)和可靠性上與傳統(tǒng)的鉛焊錫還有一定差距，Sn-3Ag-0.5Cu的可靠性高但熔點(diǎn)與焊接成本和對(duì)電路板的影響都比較大，Sn-4Ag-0.5Cu等新配比雖然在某些方面可以降低指標(biāo)但可靠性有所欠缺。在新的一年中，焊接材料必然會(huì)找到更合理的配比從而達(dá)到或者接近有鉛焊錫的標(biāo)準(zhǔn)，這已經(jīng)是整個(gè)產(chǎn)業(yè)翹首以盼的突破。與此同時(shí)，新的焊接工藝層出不窮。無(wú)鉛生產(chǎn)轉(zhuǎn)換已經(jīng)成為必然，舊有的設(shè)備因?yàn)殚L(zhǎng)期鉛的沉積將面臨淘汰，新的焊接流程與工藝，如波峰焊接、再流焊和氮?dú)廨o助焊都成為新的熱點(diǎn)。
綠色的生活永遠(yuǎn)是人們的追求，不僅僅是焊接，在封裝材料方面人們同樣向往著綠色。對(duì)于中國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō)，這不僅僅是場(chǎng)技術(shù)革命，更是一個(gè)新的發(fā)展契機(jī)，只有把握技術(shù)發(fā)展的脈搏才能尋找到更廣闊的天空。
愛(ài)上層樓
圖為用于45nm工藝測(cè)試的300mm晶圓
65納米已經(jīng)不再熱門，45納米才是重點(diǎn)。當(dāng)65納米工藝已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)之后，整個(gè)制造業(yè)已經(jīng)將目光投向更小的領(lǐng)域。2007我們也許該跟深亞微米時(shí)代干杯，去擁抱嶄新的納米時(shí)代。
進(jìn)入納米時(shí)代，光學(xué)微影技術(shù)無(wú)疑成為硅晶制造的瓶頸。具體到45納米，為了制造更細(xì)微的芯片，必須要降低光學(xué)微影技術(shù)曝光波長(zhǎng)、提高數(shù)值孔徑和微影解析度。為了達(dá)到這一要求，降低制造過(guò)程微細(xì)化電路間的靜態(tài)功耗特別是漏電流，解決RC電路時(shí)延問(wèn)題，防止介質(zhì)機(jī)械強(qiáng)度下滑等問(wèn)題變得現(xiàn)實(shí)起來(lái)。同時(shí)，還需要繼續(xù)面對(duì)增加硅晶體密度、降低電路占用面積、提升工作頻率并降低功耗等老生常談的問(wèn)題。目前，各大廠商開(kāi)始導(dǎo)入浸潤(rùn)式微影技術(shù)，而臺(tái)機(jī)電更是提出了濕浸式微影技術(shù)，甚至具備了沖擊32納米的制造實(shí)力，與此同時(shí)，非可見(jiàn)光的超紫外光微影技術(shù)已經(jīng)提上日程，只有13.5納米的光波長(zhǎng)已經(jīng)足以應(yīng)付32納米制造。45納米來(lái)了，32納米還會(huì)遠(yuǎn)嗎？
當(dāng)然，2007還是屬于65納米的，不過(guò)Intel已經(jīng)宣布將在2007量產(chǎn)45納米產(chǎn)品，65納米還在成長(zhǎng)階段就已經(jīng)感受到挑戰(zhàn)的壓力，而這是摩爾幾十年前就預(yù)言了的命運(yùn)。
封裝尺寸在減小，架構(gòu)層次卻在增加。如果說(shuō)SoC是平鋪型發(fā)展，SiP則如同黃金地段的摩天大樓一半，芯片結(jié)構(gòu)在不斷堆疊。
SoC已走向混合性的架構(gòu)，除了功能的多樣性外也嘗試采用混合性的制程技術(shù)；同時(shí)一顆SoC中可以有多個(gè)次系統(tǒng)，每個(gè)次系統(tǒng)不僅有個(gè)別的處理器核心，還可以有自己的OS、firmware和API，并采用平行運(yùn)算的多任務(wù)、多階層架構(gòu)。SoC中處理器向多核心發(fā)展，而核心可以是RISC，也可以是DSP，而同樣是RISC，可以一邊是ARM核心，另一邊則是MIPS核心。當(dāng)采用SoC負(fù)載平衡管理軟件時(shí)，就能為SoC上運(yùn)行的軟件切割成多項(xiàng)任務(wù)，并自動(dòng)完成多核心之間的負(fù)載平衡及任務(wù)監(jiān)視工作。但由于SoC需要的光罩層數(shù)會(huì)越來(lái)越多，潛在的成本問(wèn)題將愈來(lái)愈嚴(yán)重，因此這種高成本的平面堆棧封裝技術(shù)事實(shí)上已經(jīng)走到盡頭，Intel已經(jīng)宣告了SoC的死緩，未來(lái)勢(shì)必會(huì)被So3D(System-in-3Dpackage)3D架構(gòu)電路封裝完全所取代。
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