英特爾09年推出三閘晶體管以降低功率耗損

    據(jù)海外媒體報(bào)道，英特爾將于2009年采用32納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)推出三閘晶體管(trigate transistors)。采用這種新型的3D晶體管結(jié)構(gòu)，英特爾希望實(shí)現(xiàn)顯著的功率節(jié)省及性能改進(jìn)目標(biāo)。

    據(jù)英特爾組件研究總監(jiān)Mike Mayber指出，該公司在新晶體管內(nèi)成功整合了高K介電質(zhì)、金屬閘電極和應(yīng)變硅。
    該晶體管消耗的功率明顯低于目前的平面型晶體管。據(jù)Mayberry表示，三閘晶體管實(shí)現(xiàn)更好的切斷電流(off-current)，因此IC將耗費(fèi)更少的泄漏功率。高K值金屬閘也減少功率耗損，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更快速度。

    Mayberry指出，與最新的65納米晶體管相較，新型晶體管速度將提升45%，切斷電流減少50%。采用新電晶體的處理器以常速消耗35%的總體功率。

    Mayberry指出，與最新的65納米晶體管相較，新型晶體管速度將提升45%，切斷電流減少50%。采用新電晶體的處理器以常速消耗35%的總體功率。

    英特爾計(jì)劃采用這種晶體管結(jié)構(gòu)作為45納米節(jié)點(diǎn)以上未來微處理器的基本建構(gòu)模塊，這意味著即將到來的65納米和45納米節(jié)點(diǎn)將以常規(guī)方式實(shí)現(xiàn)。英特爾預(yù)計(jì)2009年量產(chǎn)32納米組件，2011年生產(chǎn)22納米組件。