英特爾透露，英特爾的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù)，它將在高能效表現(xiàn)方面進一步加強英特爾的領(lǐng)導地位。英特爾對新型的三門（或稱三維）晶體管的研發(fā)已經(jīng)進入到針對量產(chǎn)的研發(fā)階段。由于這些晶體管大大提升了傳統(tǒng)晶體管的性能和能效，英特爾預計，在超越了45納米制程技術(shù)之后的某個時間，三門晶體管技術(shù)可能成為未來微處理器的基本建筑模塊。
自從20世紀50年代晚期，半導體產(chǎn)業(yè)迎來它的朝陽之后，平面型晶體管就被認為是芯片的基本建筑模塊。隨著半導體技術(shù)發(fā)展到納米技術(shù)的縱深領(lǐng)域（尺寸小于100納米），一些晶體管的尺寸甚至只有幾層原子那么大，以前被認為只能做成“平面”的器件，現(xiàn)在可以設(shè)計成三維的，從而提高性能表現(xiàn)和功耗特性。英特爾在大批量生產(chǎn)更小尺寸的芯片方面一直是行業(yè)的領(lǐng)導者，現(xiàn)在英特爾又發(fā)明了一種方法，把這些三維的或曰三門的晶體管與其他關(guān)鍵的半導體技術(shù)結(jié)合起來，從而開啟了高能效表現(xiàn)的一個新時代。
在英特爾未來的高能效表現(xiàn)方面，三門晶體管很可能會扮演一個至關(guān)重要的角色，因為三門晶體管相比現(xiàn)在的平面型晶體管，不僅滲漏低得多，而且消耗的電能也會少得多。比起現(xiàn)在的65納米晶體管，集成的三門晶體管可以提升45%的驅(qū)動電流（開關(guān)速度）或者使關(guān)電流減小50倍，并使晶體管的開關(guān)電能減少35%。性能的提升和功耗的減少，將使用戶在使用英特爾平臺的個人電腦和其他設(shè)備時，獲得更好的體驗。
在6月13日夏威夷火奴魯魯舉行的2006年超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會上，英特爾的技術(shù)專家將陳述一篇關(guān)于此項研究的技術(shù)論文。
下載文檔
