三星擬上調(diào)DDR3產(chǎn)能 堅信年底前成DRAM主流

韓國電子公司三星宣布，因英特爾推出5500系列Xeon服務器處理器，刺激需求增長，公司決定增加50奈米制程技術的DDR3 DRAM之產(chǎn)能。

DDR3是第三代的雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。三星和其它公司相信DDR3將在今年底前，成為DRAM技術產(chǎn)業(yè)的主流。然而有些分析師，包括Needham & Co. LLC的Edwin Mok等，則認為DDR3今年內(nèi)，尚無法攻下太多市占率。

三星表示，OEM廠商能夠為其DDR3設計容量達192GB的服務器，且耗電量較采用DDR2之機種少60%，系統(tǒng)效能也將高出兩倍。

新認證的DDR3芯片，執(zhí)行速度規(guī)格有每秒800、1066、1333兆位等。同時，相較于60 奈米制程技術的DDR3 DRAM，每秒1333兆位的芯片可以省下40%電力。