NAND Flash時(shí)代即將結(jié)束——3-D Flash技術(shù)取得突破

3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)設(shè)備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供貨商Entrepix合作，發(fā)展使用現(xiàn)有的材料、工具和制程方法制造3-D Flash，從而利用簡(jiǎn)單直接的方式擴(kuò)大產(chǎn)量。Schiltron 3-D Flash制造方式的最關(guān)鍵制程步驟，是CMP的達(dá)成；該公司的聯(lián)合開發(fā)成果已制造迄今為止最小的硅基薄膜晶體管(Silicon-base thin-film transistors)。

晶體管結(jié)構(gòu)和低溫度預(yù)算制程步驟的變革促使單片3-D Flash可逐漸在大容量存儲(chǔ)用途取代傳統(tǒng)的NAND Flash Memory，如MP3播放器、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)和固態(tài)硬盤。Schiltron的制造方式，其中實(shí)現(xiàn)CMP關(guān)鍵制程，產(chǎn)生了閘極長(zhǎng)度48納米、45納米閘極寬度和厚度35納米信道、已知最小的硅基薄膜晶體管。

Schiltron創(chuàng)辦人兼總裁Andrew J. Walker表示：“可擴(kuò)展性的NAND Flash時(shí)代即將結(jié)束。單片3-D方式將接管并滿足這個(gè)價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。我們?cè)赟chiltron會(huì)利用現(xiàn)有的材料和基礎(chǔ)設(shè)施，并配合Entrepix一站式的代工服務(wù)，及專門的制程經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)訣竅來進(jìn)一步證明技術(shù)的可行性和構(gòu)造整體知識(shí)并達(dá)成這個(gè)里程碑?！?/p>

Schiltron其中一個(gè)關(guān)鍵目標(biāo)是藉由Entrepix在先進(jìn)的化學(xué)機(jī)械研磨制程的專業(yè)知識(shí)來達(dá)成其裝置架構(gòu)概念證明?；瘜W(xué)機(jī)械研磨制程在整個(gè)裝置流程起了以下2個(gè)重要關(guān)鍵和可行性：1.第一個(gè)閘極(first gate)的構(gòu)思和形成；2.超薄的信道(ultra-thin channel)的形成。這兩者對(duì)于裝置功能都是至關(guān)重要。

Entrepix是一家提供化學(xué)機(jī)械研磨制程、代工和設(shè)備的供貨商，該公司的廠房位于美國(guó)亞歷桑那州，該廠房為客戶在半導(dǎo)體及相關(guān)行業(yè)提供生產(chǎn)工程和技術(shù)開發(fā)。Entrepix除了提供CMP，也提供計(jì)量和測(cè)試設(shè)備，以支持客內(nèi)部處理的需要。該公司的綜合制程處理能力能提供完整的設(shè)備方案。