聯(lián)電65納米eFlash制程搶先問世

搶在臺積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)平臺，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65奈米世代，對其未來進一步拓展汽車、工業(yè)、醫(yī)療及航天等半導(dǎo)體市場將大有幫助。

　　美高森美系統(tǒng)單芯片產(chǎn)品事業(yè)群資深營銷及業(yè)務(wù)副總裁Jay Legenhausen表示，65奈米eFlash技術(shù)對該公司產(chǎn)品安全性、可靠性與整合度的提升均大有幫助。

　　甫于日前收購愛特(Actel))的美高森美系統(tǒng)單芯片(SoC)產(chǎn)品事業(yè)群資深營銷及業(yè)務(wù)副總裁JayLegenhausen表示，相較前一代技術(shù)，該公司采用聯(lián)電65奈米eFlash制程的新一代FPGA平臺，在邏輯密度、效能及功耗表現(xiàn)上均更為出色，因而能滿足工業(yè)、醫(yī)療、軍事、航天、通訊和消費市場更多的設(shè)計要求。

　　目前，美高森美已自聯(lián)電成功取得首個硅晶圓樣品，并著手與商業(yè)和工業(yè)市場的特定客戶展開先導(dǎo)計劃，全力協(xié)助這些客戶順利進行導(dǎo)入設(shè)計。

　　事實上，在尚未被美高森美購并前，愛特便與聯(lián)電在eFlash制程上擁有相當密切的合作關(guān)系，該公司采用130奈米eFlash制程開發(fā)的IGLOO低功耗FPGA即是由聯(lián)電所生產(chǎn)。此次，聯(lián)電一舉將eFlash制程推進至65奈米，不論對該公司或半導(dǎo)體業(yè)界而言，均具有重大意義。

　　據(jù)了解，包括臺積電與意法半導(dǎo)體(ST)先前也都公開表示已投入65奈米及55奈米eFlash技術(shù)開發(fā)。臺積電系于2009年底與英飛凌(Infineon)宣布將共同研發(fā)65奈米eFlash制程，以開發(fā)符合更嚴苛質(zhì)量要求的車用微控制器(MCU)及更高安全性的芯片卡，預(yù)計將于2012年下半年完成相關(guān)產(chǎn)品與制程驗證工作;而意法半導(dǎo)體則是投入55奈米eFlash制程研發(fā)，同樣也將用于車用MCU生產(chǎn)，預(yù)計2011年中可開始提供樣品。