GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)

公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動和消費應(yīng)用芯片制造道路上達成重要的里程碑。

表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領(lǐng)先的20nm技術(shù)平臺，在半導(dǎo)體晶圓處理過程當(dāng)中，可以進行透硅通孔（TSV）。 TSV能力將讓客戶設(shè)計多個芯片堆疊產(chǎn)品，滿足未來電子設(shè)備苛刻要求。

基本上來說，TSV技術(shù)，可以啟用垂直堆疊的集成電路之間的通信。例如，該技術(shù)可以讓電路設(shè)計者，在處理器芯片上堆疊內(nèi)存芯片，顯著提高內(nèi)存帶寬，并降低功耗，滿足下一代芯片，如智能手機、平板電腦芯片對功耗降低的苛刻要求。

目前，三維堆疊集成電路正越來越多地被視為傳統(tǒng)晶體管節(jié)點技術(shù)的替代品。然而，采用新的芯片封裝技術(shù)，芯片之間相互作用復(fù)雜性越來越強，會讓芯片代工晶圓廠和合作伙伴提供完美解決方案的難度越來越高。

公司CTO表示，年初與合??作伙伴共同開發(fā)芯片封裝新的解決方案，為客戶提供最大的選擇和靈活性，同時節(jié)約成本和開發(fā)時間，并減少開發(fā)新技術(shù)相關(guān)風(fēng)險。隨著TSV功能在20nm Fab 8晶圓廠啟用，GLOBALFOUNDRIES公司為整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)添加從設(shè)計到組裝和測試的全新能力。

作為世界上技術(shù)最先進的晶圓制造商，GLOBALFOUNDRIES公司最大領(lǐng)先優(yōu)勢在于美國新建的Fab 8工廠，具備領(lǐng)先32/28nm工藝的20nm以下技術(shù)。預(yù)計采用TSV技術(shù)的晶圓，將于2012年第三季在Fab 8工廠批量生產(chǎn)。

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