美光宣布量產(chǎn)PCM相變內(nèi)存將用于移動設(shè)備領(lǐng)域

時(shí)間：2012-07-19 13:33:39

關(guān)鍵字： PCM 內(nèi)存移動設(shè)備美光

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[導(dǎo)讀]美光科技今日在位于美國愛達(dá)荷州的總部宣布，該公司已經(jīng)開始量產(chǎn)面向移動設(shè)備領(lǐng)域的相變內(nèi)存（Phase Change Memory，簡稱PCM）。目前量產(chǎn)的產(chǎn)品使用45nm制程工藝，規(guī)格為1個(gè)1Gbit的PCM顆粒與1個(gè)512Mbit的LPDDR2 DRAM

美光科技今日在位于美國愛達(dá)荷州的總部宣布，該公司已經(jīng)開始量產(chǎn)面向移動設(shè)備領(lǐng)域的相變內(nèi)存（Phase Change Memory，簡稱PCM）。

目前量產(chǎn)的產(chǎn)品使用45nm制程工藝，規(guī)格為1個(gè)1Gbit的PCM顆粒與1個(gè)512Mbit的LPDDR2 DRAM組成堆疊封裝。目前美光該45nm PCM解決方案主要面向功能型手機(jī)市場，未來計(jì)劃擴(kuò)展到智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域。

作為美光最親密的合作伙伴，Intel也表明了力挺態(tài)度。Intel移動通信事業(yè)群組副總裁Stefan Butz稱該公司一項(xiàng)站在技術(shù)的最先端，在美光的PCM技術(shù)上看到了廣闊的前景和價(jià)值。

根據(jù)PCM的技術(shù)特點(diǎn)，使用這種存儲方案的設(shè)備將擁有更短的啟動時(shí)間，更低的功耗=更長的續(xù)航以及更強(qiáng)的耐用性。由于PCM斷電后不丟失數(shù)據(jù)的特性，實(shí)際上除輔助DRAM作為內(nèi)存之外還可替代NOR/NAND閃存的作用。

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