臺積電和ARM合作范圍擴展至20納米制程以下

昨日，半導體代工廠臺積電和ARM達成一項多年期的合作協(xié)議，雙方合作的范圍將延續(xù)至20納米制程以下。

ARM官方表示，雙方技術合作的目的，是讓ARM芯片可運用于FinFET （鰭式場效晶體管）上，讓芯片設計商能繼續(xù)拓展其在應用處理器上的優(yōu)勢。

ARM官方認為，雙方的合作將能為ARMv8架構下的新一世代4位ARM處理器、ARM ArtisanR實體IP、以及臺積電的FinFET制程技術進行優(yōu)化，以便應用于要求高性能和節(jié)能兼?zhèn)涞囊苿颖銛y市場以及企業(yè)市場。

據(jù)悉，借助這項技術合作方案，ARM將能以制程信息，設計效能、體積、功率的優(yōu)化完整方案，降低風險。而臺積電則能借助ARM的最新處理器和技術，為FinFET制程技術制定基準點并且優(yōu)化。

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