TLC閃存會(huì)讀不會(huì)寫：三星840固態(tài)硬盤性能預(yù)覽

三星最近發(fā)布的840 Pro、840系列固態(tài)硬盤都升級(jí)到了21nm工藝閃存，但面向主流市場(chǎng)的后者使用了可靠性和耐久性都稍差的TLC NAND閃存，引來了不少人的質(zhì)疑。840 Pro已經(jīng)被證明表現(xiàn)近乎完美，那么840又會(huì)如何呢？AnandTech已經(jīng)拿到了840 250GB的樣品，今天首先分享了部分測(cè)試數(shù)據(jù)，讓大家一窺TLC NAND閃存究竟是個(gè)什么樣子。

高負(fù)載平均數(shù)據(jù)率測(cè)試中，840 Pro遙遙領(lǐng)先其它產(chǎn)品，上代830也表現(xiàn)很不錯(cuò)，840就有些跟不上了，屬于中游水平，比之840 Pro慢了大約四分之一。840一方面固件稍差一些，TLC NAND閃存更是“罪魁禍?zhǔn)?rdquo;，其讀取延遲影響不大，但是擦寫循環(huán)時(shí)間長(zhǎng)得多，導(dǎo)致寫入延遲增加了50％。

低負(fù)載情況下因?yàn)楦刈x取，成績(jī)就好多了，840僅次于840 Pro而位列第二。三星工程師也強(qiáng)調(diào)說，他們?cè)?40身上更注重讀取性能，因?yàn)檫@更符合消費(fèi)者的使用情況。這倒也有些道理。