AMD攜手海力士開發(fā)3D堆棧內(nèi)存HBM：性能提升65％

隨著GPU、CPU融合的深入，作為數(shù)據(jù)共享關(guān)鍵點(diǎn)之一的內(nèi)存也亟需變革，不僅容量更高，還要速度更快。對(duì)內(nèi)存帶寬有更迫切要求的AMD原本打算在Kaveri APU上使用GDDR5技術(shù)的，種種因素制衡之后還是放棄了。日前AMD宣布聯(lián)手海力士開發(fā)HBM(High Bandwidth Memory/高帶寬內(nèi)存)，這也是一種3D堆棧式內(nèi)存，性能比GDDR5提升65%，功耗降低40%。

Elecroiq報(bào)道稱，上周末美國(guó)加州城市柏林蓋姆舉辦了RTI 3D ASIP會(huì)議，AMD和海力士宣布聯(lián)合開發(fā)HBM內(nèi)存，此前已經(jīng)有美光、IBM、三星主導(dǎo)的HMC內(nèi)存。

海力士專家Minsuk Suh、AMD高級(jí)理事Byran Black、美光Kyle Kirby

此前在FPGA和傳感器領(lǐng)域已經(jīng)有堆棧式設(shè)計(jì)(比如索尼的1300萬像素堆棧式攝像頭)，但是AMD高級(jí)理事Byran Black表示目前上述領(lǐng)域的堆棧式設(shè)計(jì)還沒對(duì)主流計(jì)算領(lǐng)域的CPU、GPU和APU產(chǎn)生影響，而HBM內(nèi)存將會(huì)改變(CPU、GPU及APU)。進(jìn)軍3D堆棧是一項(xiàng)英勇的舉動(dòng)，AMD已經(jīng)準(zhǔn)備采取這樣的行動(dòng)。

目前SK海力士已經(jīng)開始出樣HBM產(chǎn)品，而AMD將聯(lián)合海力士開發(fā)HBM內(nèi)存，已經(jīng)開始準(zhǔn)備與客戶合作。

海力士公司首席工程師Minsuk Suh表示他們正在準(zhǔn)備兩種堆棧式內(nèi)存，一種是用于主內(nèi)存的3DS，另外一種是用于圖形、網(wǎng)絡(luò)的高性能HBM內(nèi)存，JEDEC針對(duì)這些產(chǎn)品的規(guī)范已經(jīng)接近完成。

HBM與3DS兩種規(guī)范

3D堆棧內(nèi)存多采用TSV硅穿孔技術(shù)。HBM類型支持多種1024個(gè)通道，可提供最高的帶寬，主要用于對(duì)性能要求較高的網(wǎng)絡(luò)和圖形市場(chǎng)。3DS更注重成本與速度的均衡，面向主內(nèi)存。

相比顯卡上使用的GDDR5顯存，HBM可以提高65%的總體性能，而功耗則有40%的下降。