新型記憶體芯片MRAM受熱捧
全球半導(dǎo)體業(yè)者競逐下一個(gè)世代記憶體芯片的主導(dǎo)權(quán)日趨白熱化,東芝和海力士組成的日韓聯(lián)軍、美國美光公司領(lǐng)軍的團(tuán)隊(duì),以及南韓三星電子等三大陣營,研發(fā)磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM),要拼誰最快量產(chǎn)。
日本的東芝和南韓的海力士公司,最快將于2016年度起合作量產(chǎn)新型記憶體芯片MRAM,比美國半導(dǎo)體大廠美光科技(Micron Technology)規(guī)劃的2018年早約兩年。
東芝和海力士正研發(fā)的MRAM在關(guān)掉電源后,仍能保存數(shù)據(jù)資料。相較于目前廣泛使用在PC、智能手機(jī)和其他裝置的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM),MRAM的資料儲存量高出九倍,耗電量僅三分之二。
東芝和海力士于2011年同意攜手開發(fā)MRAM,希望明年度就能開始提供由首爾郊外海力士晶圓廠生產(chǎn)的樣品。雙方的計(jì)劃是讓MRAM在南韓量產(chǎn),如果需求達(dá)標(biāo),將組成合資公司,投入1,000億日圓(9.4億美元)資金,在日本或南韓開辟專屬生產(chǎn)線。
除東芝和海力士外,全球還有兩大陣營在各自努力推動(dòng)MRAM 的商業(yè)化。美光現(xiàn)正與包括東京威力科創(chuàng)在內(nèi)約20家美、日半導(dǎo)體業(yè)者合作,力圖在2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的目標(biāo)。南韓的三星電子公司也不落人后,目前維持自主研發(fā)路線。
MRAM
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)是數(shù)位資訊存取市場中的新興記憶體技術(shù)。MRAM 具非揮發(fā)性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優(yōu)點(diǎn),商業(yè)化應(yīng)用仍在開發(fā)階段。