AMD宣布和Hynix聯(lián)手開發(fā)HBM堆棧內(nèi)存

3D IC內(nèi)存和所有2.5D/3D技術(shù)終于離全面商業(yè)化更近一步了!在上周于美國加州伯林蓋姆市(Burlingame)召開的RTI 3D ASIP會議上，AMD和Hynix共同宣布了兩家公司將攜手開發(fā)HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)的消息。AMD高級研究員兼3D項目主管Bryan Black指出：

雖然芯片堆疊技術(shù)已在FPGA和影像傳感器上普及，但是在主流計算機(jī)的CPU、GPU、以及APU上，卻沒有太大的動作。不過“高帶寬內(nèi)存”(High Bandwidth Memory)的出現(xiàn)，將會改變這一點。

上圖分別是來自海力士(Hynix)的Minsuk Suh、AMD的Byran Black、以及鎂光(Micron)的Kyle Kirb。

“轉(zhuǎn)向3D是一個大膽的舉動，但是AMD已經(jīng)做好了這種準(zhǔn)備”。Black宣布AMD正與SK Hynix攜手開發(fā)HBM堆棧內(nèi)存，目前正處于樣產(chǎn)階段。而AMD“也做好了與客戶合作的準(zhǔn)備”。

這些產(chǎn)品的JEDEC規(guī)范已經(jīng)“基本完成”。

Hynix首席工程師Minsuk Suh證實，他們的3D堆疊式內(nèi)存將產(chǎn)品，將同時有面向主內(nèi)存應(yīng)用的3D stacked memory、以及面向網(wǎng)絡(luò)和圖形應(yīng)用的3D stacked HBM。

Suh表示，首個HBM應(yīng)用將部署到GPU上，隨后則是網(wǎng)絡(luò)和HPC應(yīng)用。與標(biāo)準(zhǔn)的DDR4內(nèi)存相比，HBM堆棧的功耗要少30%，而尺寸也減少了37X。