目前閃存技術(shù)基本上向著兩個方向前進,一個是把3D TLC閃存的堆疊層數(shù)從64層增加到96層,這樣單顆閃存的核心容量可以增加50%,另一個就是從TLC演化成QLC,這樣容量可以增加33%,實際上兩個方案都有優(yōu)點和缺點,廠家目前也不太清楚兩個哪個好一點,所以基本上兩個都在研發(fā)。
Anandtech在國內(nèi)主控廠商聯(lián)蕓科技(Maxio Technology)的展臺上找到了使用Intel 3D QLC閃存的4TB SSD,當然這款產(chǎn)品還是處于初期的樣品階段,它采用是一顆聯(lián)蕓自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控,主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2與虛擬奇偶校驗恢復等技術(shù),而閃存型號是Intel N18A 3D QLC。
和閃存對比起來這塊主控就相當?shù)男?,Maxio說它使用了GF的14nm工藝生產(chǎn)
有趣的是Intel和美光提到他們的QLC閃存耐久度可達1000 P/E,不過Maxio說目前用他們的主控會讓閃存耐久度下降到500 P/E,因為目前主控還處于初期的樣品階段,QLC也是新事物,主控開發(fā)人員還沒摸清它的特性,正式出貨時耐久度可能會有所增加。
性能跑出來基本上就是SATA SSD的極限,我更好奇SLC Cache用光后QLC的原始寫入速度有多少
很明顯這種大容量的QLC SSD比較適合用來代替數(shù)據(jù)中心的HDD,對于普通消費者來說這種容量的SSD其實并不是必須的。