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[導(dǎo)讀]英特爾的QLC硬盤是660P系列,M.2 2280規(guī)格,PCIe通道,起步容量就達(dá)到了512GB,最高2TB,連續(xù)、隨機性能也不錯,不輸現(xiàn)在的3D TLC硬盤。

除了SK Hynix之外,英特爾、美光、西數(shù)、東芝以及三星等公司都已經(jīng)宣布量產(chǎn)QLC閃存了,美光的QLC硬盤已經(jīng)開始出貨了,主要針對企業(yè)級市場,容量可達(dá)7.68TB。在消費級市場上,英特爾之前也提到了QLC閃存硬盤的存在,容量最高可達(dá)20TB,不過真正上市的QLC硬盤顯然不會有這么大容量,英特爾的QLC硬盤是660P系列,M.2 2280規(guī)格,PCIe通道,起步容量就達(dá)到了512GB,最高2TB,連續(xù)、隨機性能也不錯,不輸現(xiàn)在的3D TLC硬盤。

 

 

英特爾的QLC閃存硬盤原來很早就被曝光了,去年12月底臺灣大聯(lián)大控股公司在一則新聞中就意外曝光660P硬盤的存在,當(dāng)時這篇新聞的重點是英特爾的760P M.2硬盤,很多人都沒意識到規(guī)格表中的660P硬盤使用了64層堆棧的QLC閃存。

 

 

現(xiàn)在660P硬盤的新聞才被人挖墳出來,使用的是M.2 2280規(guī)格,容量有512GB、1TB及2TB三種,活動功耗0.1W,待機功耗0.05W,連續(xù)讀寫速度分別是1800MB/s、1100MB/s,隨機讀取、寫入分別是150K、150K IOPS,整體性能跟700P系列差不多——對了,700P系列硬盤也是英特爾沒發(fā)布的產(chǎn)品,使用的是64層3D TLC閃存。

如果英特爾這半年來沒有變動SSD規(guī)格,那么在同樣的64層堆棧下,QLC閃存的性能跟3D TLC閃存差不多,只有隨機寫入速度差了100MB/s,還有就是功耗更高了一些,不過0.1W與0.05W之間的差距并不大,即便是筆記本上也不會有什么體驗差異。

 

 

早在英特爾、美光宣布QLC閃存時,他們就提到了3D QLC閃存的P/E次數(shù),目前能達(dá)到1000次,而3D TLC閃存是3000次,不過很多3D TLC閃存其實也沒這么高,1000-1500次的并不少,因此在可靠性上QLC閃存也不會是很多人想象中的那樣差。

 

 

德國Computerbase網(wǎng)站還統(tǒng)計了660P硬盤的價格,512GB、1TB及2TB分別售價113.9、197.75及391.43歐元,算下來每GB價格約為0.2歐元,在PCIe 3.0 x4硬盤中這個價格是最低的,這也是QLC閃存最大的意義,就是通過更大的容量密度來降低成本。

對QLC閃存來說,現(xiàn)在還只是開始,英特爾、美光的QLC還是64層堆棧的,而東芝、西數(shù)以及三星都會推出90層以上堆棧的3D QLC閃存,東芝、西數(shù)的BiCS 4技術(shù)還能提供1.33Tb的業(yè)界最高核心容量,理論上成本更低,容量更大。

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