內(nèi)存產(chǎn)業(yè)高點已過，供過于求將持續(xù)至明年年底

根據(jù)CINNO Research對內(nèi)存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，這波歷時最久，從2016年第二季開始以來DRAM供不應求、價格上漲的產(chǎn)業(yè)大多頭榮景，確定要畫下句號。雖然第三季財務報告中，三星、海力士和美光這三大DRAM巨頭的平均銷售單價季增幅度維持在-1%至1%左右，出貨量也約較第二季成長10%，使得第三季DRAM產(chǎn)值還能較第二季再成長將近9%，但成長幅度已是近八個季度以來的第二個低點，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的單季DRAM產(chǎn)值成長幅度分別為17%與18%)。

從競爭態(tài)勢來看，排名并沒有出現(xiàn)較大的變動，前五名的業(yè)者囊括了將近99%的市場份額，其中三星較為積極的價格策略和產(chǎn)品組合調整使其市占率小幅增加至45%外，其他廠商幾乎維持相同的市場份額，而利潤上來看，三星、海力士與美光的內(nèi)存產(chǎn)品毛利率依舊維持在接近70%的水平，可謂持續(xù)賺的盆滿缽滿，也累積了后續(xù)面對即將到來的壞日子的充足糧食。未來內(nèi)存環(huán)境的考驗將在DRAM與NAND Flash兩種主要產(chǎn)品的供需當中找尋平衡點，也因此我們認為同時擁有DRAM與NAND甚至可以擴展至NOR Flash以及其他新應用內(nèi)存產(chǎn)品的廠商將有更多的戰(zhàn)略縱身來面對未來的挑戰(zhàn)。

展望后市，內(nèi)存從第四季正式宣告進入供過于求的空頭循環(huán)，雖然內(nèi)存廠商對于明年的資本支出以及擴產(chǎn)計劃因總體經(jīng)濟的影響開始出現(xiàn)下修或是遞延的保守態(tài)勢，但在過去這一兩年半導體熱潮所帶動廠商重復下單(Over-Booking)的現(xiàn)象過于嚴重，以致于從今年第二季后半導體業(yè)庫存調整的情況開始發(fā)酵，也影響到了內(nèi)存產(chǎn)業(yè);而自第三季起中美貿(mào)易戰(zhàn)影響終端需求有更為嚴峻的考驗下，內(nèi)存的需求成長出現(xiàn)了停滯，因此短期內(nèi)受到英特爾CPU缺貨影響個人計算機在農(nóng)歷年前的銷售固然是要素之一。但長期而言，智能型手機與PC的成長開始趨緩甚至停滯，以及過去服務器數(shù)據(jù)中心高度強勁成長的態(tài)勢不在才是影響長期DRAM需求趨緩的最主要原因，而討論熱度很高的自動駕駛汽車、AI人工智能和物聯(lián)網(wǎng)雖然看起來成長潛力高，但在未來三年內(nèi)的內(nèi)存消耗量對于市場的影響性依然偏低，這也是是我們認為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在經(jīng)過過去兩年的榮景之后，未來兩年內(nèi)恐將面臨由外部環(huán)境所帶動一系列沖擊內(nèi)存廠商運營的考驗開始。而考慮到供給與需求的影響，我們認為明年整體DRAM平均銷售單價年跌幅可能超過25%以上。