突破技術挑戰(zhàn)，三星開發(fā)首款10納米第三代超高性能和高功效DRAM

據(jù)三星電子官網消息，作為先進存儲器技術的全球領導者，三星電子今(21)日宣布第三代10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)。自開始批量生產第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。

隨著10納米成為業(yè)界最小的存儲器工藝節(jié)點，三星現(xiàn)在已準備好應對日益增長的市場需求，新的DDR4 DRAM與之前的1Y納米級版本相比，制造生產率提高了20%以上。

10納米級 8Gb DDR4的批量生產將在今年下半年開始，以適應下一代企業(yè)服務器和預計將于2020年推出的高端PC。

“我們致力于突破技術面臨的最大挑戰(zhàn)，以便推動我們實現(xiàn)更大的創(chuàng)新。我們很高興為穩(wěn)定生產下一代DRAM奠定了基礎，確保了性能和能效的最大化。”三星電子DRAM產品和技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee說。“隨著我們建立10納米級 DRAM陣容，三星的目標是支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)并推動高端內存市場的增長。”

三星開發(fā)的10納米級 DRAM為加速全球IT向下一代DRAM接口(如DDR5，LPDDR5和GDDR6)的過渡鋪平了道路，這些接口將為未來的數(shù)字創(chuàng)新提供動力。隨后具有更高容量和性能的10納米級產品將使三星能夠增強其業(yè)務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場中的領導地位，用于包括服務器，圖形和移動設備在內的應用。

在與一家CPU制造商對8 GB DDR4模塊進行全面驗證后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將推出的內存解決方案。

根據(jù)當前的行業(yè)需求，三星計劃在其Pyeongtaek網站增加主要內存產量的比重，同時與其全球IT客戶合作，以滿足對最先進的DRAM產品不斷增長的需求。