融合分子自組裝與納米印刷技術(shù) 可令硬盤存儲能力翻番

Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通過將融合 self-assembling molecules ( 分子自組裝 ) 和 nanoimprinting ( 納米印刷 ) 技術(shù)，成功創(chuàng)造出大面積高密度存儲介質(zhì)，其 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm ，是目前硬盤技術(shù)的兩倍，可望于未來數(shù)年內(nèi)大幅提高機械硬盤的存儲密度，讓單碟容量可望提升。

據(jù) HGST 表示，新技術(shù)能夠讓 magnetic islands 磁島寬度只相當(dāng)于大約 50 個原子寬，或者人類頭發(fā)絲的十萬分之一。其中，自組裝分子使用的雜化聚合物，為互相排斥的段組成的嵌段共聚物，表面上作為薄膜涂層，聚合物鏈段的大小決定的行間距，結(jié)合轉(zhuǎn)換為模板的納米壓印，將納米尺度模式到一個芯片或磁盤基板的模式，令 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm 。

HGST 還提供了路線圖，指出如何經(jīng)濟有效地提遠(yuǎn)遠(yuǎn)升磁島密度，無需使用任何傳統(tǒng)的光刻技術(shù)便可令硬盤尺寸更小。目前 HGST 實驗室已測試出其出色的讀寫速度和數(shù)據(jù)保存能力，擴展到整個硬盤之后，將可望達(dá)到超過一萬億個磁島，進而降低晶格介質(zhì) (bit-patterned media) 的成本，并可望于未來數(shù)年內(nèi)大幅度提高機械硬盤的存儲密度。

此外，據(jù) HGST Research 副總裁 Currie Munce表示，新興的自組裝分子和納米壓印技術(shù)將產(chǎn)生巨大的影響，使納米制造成為一個成本效益的方式，并增加在磁性硬盤驅(qū)動器上的數(shù)據(jù)密度。