半導體工藝錄：摩爾定律催生了芯片技術(shù)革命

1968年Intel工程師戈登·摩爾根據(jù)芯片發(fā)展趨勢做出了一個晶體管發(fā)展報告：集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

時至今日Intel已經(jīng)推出了最新的22nm 3D晶體管架構(gòu)，工藝和性能都得到了革命性的提升，來自Intel馬博的報告，從1978年到2008年，1微米能夠容納的晶體管數(shù)量已經(jīng)達到了10個。

雖然晶體管工藝得到了巨大提升，但隨著nm級的深入，縮微技術(shù)將出現(xiàn)一定的瓶頸，為此傳統(tǒng)的尺寸縮小將面臨巨大挑戰(zhàn)，而在這一時期Intel已經(jīng)著手起草了3D晶體管架構(gòu)的開發(fā)，在去年的5月份Intel正式宣布掌握該項技術(shù)。

在2001年，晶體管還停留在130nm，2011年的3D晶體管架構(gòu)引爆了22nm，持續(xù)的發(fā)展來自于材料和結(jié)構(gòu)的不斷創(chuàng)新。

而在2010年3月隨著蘋果iPad的發(fā)布，移動計算時代便宣布來臨，傳統(tǒng)的性能等需求已經(jīng)無法滿足SoC設(shè)計的需求，而單芯片設(shè)計也是越來越小、越來越輕薄的移動計算設(shè)備的需求。傳統(tǒng)的CPU、GPU、I/O、內(nèi)存、加速器、WiFi、藍牙、3G模塊將完全整合在一顆芯片內(nèi)，實現(xiàn)高度的融合和移動計算需求。