三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條,性能1.6Gbps,功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%,能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。
三星指出,目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條,總?cè)萘孔畲?6GB,如果是60nm 1Gb DDR2芯片,內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達(dá)210W,換成40nm 2Gb DDR3芯片就只消耗55W,而最新的40nm 4Gb DDR3會進(jìn)一步降至僅僅36W,也就是節(jié)能83%之多,相當(dāng)于為每套服務(wù)器系統(tǒng)節(jié)約10%的功耗。
由于單顆芯片容量翻番,4Gb DDR3芯片的量產(chǎn)也能大大推動單條32GB內(nèi)存條的普及。
三星從去年七月開始引入40nm級別的DDR DRAM生產(chǎn)工藝,并計(jì)劃將該工藝的生產(chǎn)比例逐漸提高到90%以上。