瑞薩科技將使用來(lái)自Sarnoff Europe公司的ESD保護(hù)技術(shù)

瑞薩科技公司和Sarnoff Europe公司（它是由位于新澤西州普林斯頓的Sarnoff公司完全所有的子公司）宣布簽署協(xié)議，授權(quán)瑞薩科技公司使用Sarnoff公司的TakeCharge®*1技術(shù)，IC設(shè)計(jì)者可以使用這種技術(shù)設(shè)計(jì)片上靜電放電(ESD*2)保護(hù)電路。由于不用耗資、耗時(shí)進(jìn)行新設(shè)計(jì)，使用這種受到高度評(píng)價(jià)的技術(shù)可以加速產(chǎn)品的上市時(shí)間；可以加速瑞薩科技公司采用硅－絕緣體（SOI）*3工藝的高級(jí)系統(tǒng)LSI器件的開發(fā)。

在制造過(guò)程中，印刷電路板和LSL器件之間可能產(chǎn)生靜電放電。在印刷電路板上積聚的靜電在LSL器件安裝過(guò)程中可能會(huì)放電，靜電放電可能在LSL器件內(nèi)產(chǎn)生過(guò)量的電流，從而損壞其內(nèi)部器件。防止這個(gè)問(wèn)題的一種方法是使用特殊的電路來(lái)保護(hù)LSL器件的內(nèi)部組件。在SOI器件中，晶體管在絕緣層的頂部形成。這使得此類器件更容易受到靜電放電的損壞，因此，采取有效的對(duì)策比以往顯得更為重要。

瑞薩科技在其塊硅*4CMOS產(chǎn)品中早就使用了專有的ESD保護(hù)技術(shù)。這些產(chǎn)品在市場(chǎng)上的可靠性聲譽(yù)很好。但是，隨著小型化的不斷發(fā)展，塊硅原料被SOL所取代，尤其是在65 nm工藝中更是如此。為加速采用最新技術(shù)的高級(jí)系統(tǒng)LSL器件的開發(fā)工作，在短期內(nèi)開發(fā)可行的ESD保護(hù)技術(shù)已經(jīng)成為非常迫切的任務(wù)。

來(lái)自Sarnoff Europe公司的TakeCharge® ESD保護(hù)技術(shù)可以在短期內(nèi)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)ESD 保護(hù)電路設(shè)計(jì)，從而可以在較短的時(shí)間內(nèi)設(shè)計(jì)和開發(fā)新型LSL器件。另外，它可以在更小的表面區(qū)域上提供高級(jí)ESD保護(hù)，從而可以開發(fā)更小的芯片。最后，它具有很低的寄生電容，非常適合高速應(yīng)用。

在這樣的背景下，瑞薩科技與Sarnoff Europe公司簽署協(xié)議，在瑞薩科技的SOL產(chǎn)品中使用TakeCharge® ESD保護(hù)技術(shù)，包括90nm和 65nm器件。通過(guò)使用TakeCharge®，瑞薩科技計(jì)劃為市場(chǎng)提供具有非常好ESD保護(hù)能力的優(yōu)化、小型SOL產(chǎn)品，同時(shí)縮短設(shè)計(jì)和開發(fā)所需的時(shí)間。

“我們很感謝瑞薩科技選擇TakeCharge來(lái)協(xié)助其SOI芯片設(shè)計(jì)，” Sarnoff Europe公司的行政主管和ESD設(shè)計(jì)解決方案主管 Koen Verhaege先生說(shuō)：“能有瑞薩科技這樣世界一流的公司作為我們的許可使用者，我們感到很自豪。”

注釋:
1. TakeCharge®是Sarnoff Europe公司的注冊(cè)商標(biāo)。

2. ESD (靜電放電)：在印刷電路板上安裝封裝器件過(guò)程中或與人體的接觸過(guò)程中的靜電放電，可以導(dǎo)致半導(dǎo)體器件中電路組件損壞等問(wèn)題。因此有必要采取措施防止靜電放電。

3. SOI (硅－絕緣體技術(shù))：在晶體管和硅襯底之間形成硅氧化物或類似絕緣層的一種結(jié)構(gòu)。通過(guò)硅層防止電荷的保持，并改善了晶體管的電導(dǎo)率。因此，減小了功耗，并可以生產(chǎn)出適合高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片。

4. 塊硅 (或塊硅芯片)：這個(gè)術(shù)語(yǔ)被用來(lái)從SOI芯片中區(qū)分用于普通硅器件的單晶硅芯片。