中芯國際首批45納米芯片通過測(cè)試

中芯國際12月8日宣布，第一批45納米產(chǎn)品已成功通過良率測(cè)試，標(biāo)志著其45納米工藝進(jìn)入一個(gè)新的里程。

2007年12月與IBM簽訂45納米低功耗和高性能芯片技術(shù)許可協(xié)議。中芯國際第一批完整工藝流程的300毫米芯片也是在IBM的測(cè)試條件下取得了出色的良率。

中芯國際45納米項(xiàng)目負(fù)責(zé)人俎永熙博士表示，“這是我們45納米合作項(xiàng)目的第一個(gè)重要里程碑，為我們給客戶提供IBM的技術(shù)與中芯國際完善的芯片代工服務(wù)鋪平了道路。”

中芯國際已與一系列高端客戶簽訂了45納米代工協(xié)定，計(jì)劃于2009年開始生產(chǎn)。

IBM授權(quán)的45納米芯片技術(shù)可應(yīng)用于3G手機(jī)、全球定位系統(tǒng)以及多媒體處理器。該技術(shù)還可以支持圖形，網(wǎng)絡(luò)，存儲(chǔ)及一般消費(fèi)性裝置的生產(chǎn)制造。

中芯國際人士表示，這證明了專注于邏輯代工的策略是十分正確的，同時(shí)也使中芯國際能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)及系統(tǒng)廠商及時(shí)提供領(lǐng)先的45納米芯片代工解決方案。

據(jù)介紹，45納米技術(shù)為目前最先進(jìn)的芯片制程技術(shù)。