三星宣布其300mm 32nm LP Gatefirst HKMG制程SOC芯片產線已通過驗證
[導讀]三星電子公司宣布其位于京畿道器興的300mm晶圓廠的S號產線已經具備了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生產SOC芯片的能力，這條產線將可用于代工生產客戶設計的SOC芯片產品。三星這次啟用的32nm LP(低功耗)Gat
三星電子公司宣布其位于京畿道器興的300mm晶圓廠的S號產線已經具備了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生產SOC芯片的能力，這條產線將可用于代工生產客戶設計的SOC芯片產品。三星這次啟用的32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程是由IBM領導下的IBM聯(lián)合開發(fā)技術聯(lián)盟(IBM Joint Development Alliance)開發(fā)出來的。
三星目前已經采用這種32nm LP制程技術制造出了一種基于ARM 1176處理器核心的SOC芯片產品，這種產品比同頻的45nm LP制程產品在動態(tài)功耗方面下降了30%，漏電功耗則下降了55%。
三星的EDA(電子設計自動化)合作伙伴包括新思科技(Synopsys)，Cadence以及 Mentor公司三家。
據此前Digitimes網站的報道，三星公司計劃于年底前將芯片的月產能由目前的2.7萬片(按8英寸晶圓計算)提升到4萬片，明年月產能則計劃達到12.5萬片，2012年則會進一步提升到20萬片。
相比芯片代工之王臺積電年產1000萬片(按8英寸晶圓計算)的產能，三星還有很長的距離需要追趕。
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