華潤(rùn)上華發(fā)布新開(kāi)發(fā)的BCD工藝平臺(tái)

2010年11月15日華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)近日發(fā)布其新近開(kāi)發(fā)完成的BCD工藝平臺(tái)，同時(shí)由其持有19%股權(quán)的8英寸生產(chǎn)線也推出多款新型BCD和0.13微米工藝平臺(tái)，以滿足客戶在新興半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)的需求。

華潤(rùn)上華致力于功率模擬IC代工，尤其在BCD代工方面擁有核心優(yōu)勢(shì)。基于原有的BCD工藝，華潤(rùn)上華開(kāi)發(fā)了1.0微米700V、0.25微米和0.18微米三款新型BCD工藝平臺(tái)，分別面向綠色節(jié)能產(chǎn)品的高電壓、高效能及高集成度應(yīng)用。

1.0微米700V BCD工藝平臺(tái)是基于華潤(rùn)上華在AC-DC轉(zhuǎn)換器上廣泛應(yīng)用的1.0微米40V BCD工藝平臺(tái)上嵌入700V DMOS后研發(fā)而成的。它不但保持了原有工藝簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)拓展了應(yīng)用范圍，是綠色電源芯片最佳選擇之一，其主要應(yīng)用于離線電源、LED照明驅(qū)動(dòng)等AC-DC轉(zhuǎn)換電路。

與原有的0.5微米BCD工藝平臺(tái)相比，由8英寸生產(chǎn)線新開(kāi)發(fā)的0.25微米BCD工藝平臺(tái)具有更高的性價(jià)比，其功率DMOS性能提升了30%，工藝流程更簡(jiǎn)化，使用成本更低。該工藝平臺(tái)主要面向DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)、音頻功放及電池保護(hù)等電源管理應(yīng)用。華潤(rùn)上華同時(shí)提供更多的工藝選項(xiàng)，能讓客戶彈性選擇所需的器件來(lái)優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。

隨著數(shù)字電源的普及，8英寸生產(chǎn)線還推出0.18微米BCD工藝平臺(tái)。該工藝平臺(tái)將功率DMOS嵌入0.18微米數(shù)字平臺(tái)中，保持了0.18微米數(shù)字工藝及0.25微米BCD工藝原有性能，提供完整的數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、OTP等設(shè)計(jì)支持。

基于原有的0.18微米工藝平臺(tái)，8英寸生產(chǎn)線再推出其新近研發(fā)的0.13微米工藝平臺(tái)，包括0.13微米邏輯、模擬和射頻工藝平臺(tái)。與0.18微米技術(shù)相比，0.13微米的技術(shù)可以將芯片尺寸最多縮小約50%的面積，性能提升逾50%。華潤(rùn)上華的0.13微米工藝平臺(tái)具有很強(qiáng)的兼容性。

0.13微米邏輯工藝平臺(tái)目前提供標(biāo)準(zhǔn)和低功耗2種工藝：標(biāo)準(zhǔn)工藝適用于性能導(dǎo)向的客戶;低功耗工藝適用于手持消費(fèi)性市場(chǎng)。此兩種工藝Core器件的工作電壓分別為1.2V和1.5V，IO器件目前均為3.3V，2.5V的IO器件正在開(kāi)發(fā)中。0.13微米低壓高性能邏輯工藝平臺(tái)以及基于0.13微米邏輯工藝平臺(tái)的嵌入記憶體工藝和高壓工藝開(kāi)發(fā)項(xiàng)目正在進(jìn)行中。

0.13微米模擬和射頻工藝平臺(tái)技術(shù)將使基于邏輯平臺(tái)的集成更為容易，主要提供的器件有：多種閾值電壓的Core器件、3.3V IO 器件、隔離P阱、多晶高阻、可變電容器、VPNP、MIM電容和頂層厚鋁的電感器。

8英寸生產(chǎn)線的0.13微米邏輯、模擬和射頻工藝平臺(tái)的模擬套件庫(kù)(PDK)將于近期完成，預(yù)計(jì)從2011年開(kāi)始還將提供上述新工藝平臺(tái)的多項(xiàng)目晶圓服務(wù)(MPW)，以幫助客戶降低生產(chǎn)成本。

“華潤(rùn)上華致力成為模擬晶圓專工領(lǐng)航者，為新興半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)提供綠色電源、半導(dǎo)體照明、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的模擬和功率IC工藝解決方案。”華潤(rùn)上華市場(chǎng)及銷售副總溫珍荻博士表示，“華潤(rùn)上華將聚焦新興應(yīng)用市場(chǎng)，為客戶提供高附加值的客制化服務(wù)，為客戶創(chuàng)造更多的價(jià)值。”