臺積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡稱：臺積電)周四表示，在2D芯片容量達(dá)到極限之前，公司不會啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體，而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。

英特爾(Intel Co.,INTC)周三稱，公司將一改在矽晶圓上創(chuàng)建2D集成電路的標(biāo)準(zhǔn)做法，轉(zhuǎn)而采用3D晶體管生產(chǎn)技術(shù)。

英特爾表示，利用3D晶體管比簡單采用新一代生產(chǎn)技術(shù)益處更多。

分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多被高增長的智能手機市場拒之門外。

臺積電目前采用28納米技術(shù)生產(chǎn)芯片，該公司計劃在2013年轉(zhuǎn)用更先進(jìn)的20納米技術(shù)。

臺積電研發(fā)部資深副總裁蔣尚義表示，自2003年以來公司一直在研發(fā)3D晶體管，但目前3D晶體管技術(shù)的工具和設(shè)計都還不成熟。

蔣尚義還稱，當(dāng)公司采用比20納米制程更先進(jìn)的芯片生產(chǎn)技術(shù)，而2D晶體管的容量已達(dá)到極限，才會考慮采用3D晶體管。

按收入計，臺積電是全球最大的芯片代工企業(yè)。