聯(lián)發(fā)科技：TD-LTE芯片研發(fā)引入競爭擴(kuò)大需求

通信產(chǎn)業(yè)報(網(wǎng))：目前，終端芯片的發(fā)展趨勢有哪些?

呂向正：TD終端芯片的發(fā)展趨勢主要體現(xiàn)在以下五個方面：

1.調(diào)制解調(diào)器(Modem)：向HSPA升級，并進(jìn)一步往HSPA+發(fā)展。HSPA+是新型高速分組接入(HSPA)無線寬帶技術(shù)，可提供比3G網(wǎng)絡(luò)更高的數(shù)據(jù)吞吐能力。

2.時尚多媒體：支持更高像素(200萬～500萬)的攝像頭、3.2英寸HVGA高清大屏幕和中國移動多媒體廣播(CMMB，以TD終端為主)。

3.移動互聯(lián)網(wǎng)：蘋果產(chǎn)品(iPhone、iPad)的流行以及中國移動廣布WiFi熱點(diǎn)，使無線互聯(lián)網(wǎng)和WiFi接入逐漸成為TD終端芯片必須支持的個人隨身熱點(diǎn)應(yīng)用。

4.用戶體驗：類智能用戶界面(UI)需求，包括3D畫面和全網(wǎng)頁瀏覽器，全面提升用戶的互聯(lián)網(wǎng)體驗。

5.近距離通訊(NFC)：其應(yīng)用技術(shù)也是TD熱門發(fā)展趨勢之一。

通信產(chǎn)業(yè)報(網(wǎng))：目前，備受國內(nèi)關(guān)注的TD-LTE的終端芯片相對其它三種芯片還需要在哪些方面提高?TD-LTE終端芯片未來的發(fā)展路徑是什么?

呂向正：不同制式網(wǎng)絡(luò)的終端芯片發(fā)展速度不同。

EVDO：該技術(shù)僅為極少數(shù)的芯片廠商所獨(dú)占，芯片產(chǎn)品從現(xiàn)有的Rev.A向Rev.C進(jìn)展，但其中領(lǐng)先的廠商也開始支持多模FDD-LTE。

TD-LTE：芯片從單模發(fā)展到多模，而且向下與現(xiàn)有的GSM、TD-SCDMA等技術(shù)相兼容。目前各方都在做積極的技術(shù)準(zhǔn)備。FDD-LTE：芯片在歐美與日本開始小規(guī)模地進(jìn)入商用，向下也支持2G/3G技術(shù)，已從3GPPR8發(fā)展到了R9標(biāo)準(zhǔn)。

TD-LTE終端芯片首先要擴(kuò)大市場需求，才能擁有像HSPA+或EVDO一樣的經(jīng)濟(jì)規(guī)模，從而加速技術(shù)演進(jìn)，最終達(dá)到成本收益目標(biāo)。TD-LTE終端芯片未來的發(fā)展路徑勢必是更高集成度、更低功耗和更低成本的方向;多模多頻必將成為主流。

通信產(chǎn)業(yè)報(網(wǎng))：目前，TD-LTE終端芯片的發(fā)展還面臨哪些挑戰(zhàn)?

呂向正：除了常見的終端發(fā)熱與功耗過高等等情況，TD-LTE的Band40和Band7信號與ISMBand過于接近也是一個突出的難題，這會導(dǎo)致LTE信號與藍(lán)牙(Bluetooth)或Wi-Fi信號互相干擾。此外，日后支持國際漫游的頻段，智能終端合理的成本與大小，兼顧產(chǎn)品性能的同時又要兼顧許多天線與射頻通訊模塊的設(shè)計，此類種種都將是TD-LTE終端芯片發(fā)展的挑戰(zhàn)。

通信產(chǎn)業(yè)報(網(wǎng))：TD-LTE商用時，將會面對中國聯(lián)通和中國電信的3G網(wǎng)絡(luò)的競爭，在終端芯片方面，TD-LTE終端芯片在競爭中有哪些優(yōu)勢?

呂向正：TD-LTE芯片的優(yōu)勢在于中國至今已有不少廠商投入TD-LTE技術(shù)的發(fā)展，在產(chǎn)業(yè)自主化與對國際標(biāo)準(zhǔn)的掌握上，已經(jīng)具有了相當(dāng)優(yōu)勢。