艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用
[導(dǎo)讀]艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)
艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
今年的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì)將成為工程師和科學(xué)家們分享和了解硅絕緣體上硅以及多柵CMOS技術(shù)最新趨勢(shì)的盛會(huì)。隨著近期英特爾宣布成功開發(fā)出世界上首個(gè)多柵(三柵)晶體管，并將此技術(shù)應(yīng)用于其下代22nm工藝中，基于多柵晶體管技術(shù)以及其器件模型的研究已成為當(dāng)今的熱點(diǎn)。
艾克賽利公司首席科學(xué)家陳強(qiáng)(Brian Chen)博士受邀在此次大會(huì)做主題為 "An Exercise of ET/UTBB SOI CMOS Modeling and Simulation with BSIM-IMG" 的演講。陳博士將介紹艾克賽利及其合作伙伴對(duì)于BSIM-IMG模型探索性的應(yīng)用情況。模型參數(shù)是基于20nm工藝的實(shí)際數(shù)據(jù)，在艾克賽利公司旗艦產(chǎn)品MBP中提取完成的，最終的模型在不同電路中進(jìn)行了驗(yàn)證。
此項(xiàng)研究工作是艾克賽利與其合作伙伴共同完成的，包括美國加州大學(xué)伯克利分校，法國Soitec公司以及法國CEA – LETI公司。
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