臺積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程

臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsung)及格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)追趕。

臺積電執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長劉德音表示，臺積電正致力于構(gòu)建完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)，從而加速產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。

臺積電執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長劉德音表示，擴增實境(AugmentedReality,AR)、行動匯流(MobileConvergence)、無所不在的連結(jié)(UbiquitousConnectivity)、云端運算和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)五大發(fā)展趨勢興起，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在制程、IC設(shè)計、電源管理與軟體服務(wù)方面均要革新。其中，晶圓制程演進更至為關(guān)鍵，將有助業(yè)界設(shè)計高效能與低功耗兼具的半導(dǎo)體解決方案，以依循摩爾定律(Moore’sLaw)腳步。

劉德音指出，臺積電已擬定一套完整作戰(zhàn)計劃，強攻20奈米以下先進制程，并規(guī)畫旗下超大晶圓(GIGAFAB)12和14廠全力沖刺20、16及10奈米晶圓產(chǎn)能。目前，基于高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)的20奈米制程正展開試產(chǎn)，并將于今年底前展示具體市場成果；下一階段則將在2013年部署FinFET16奈米制程，并于2014年商用量產(chǎn)。

至于10奈米方面，臺積電亦選定FinFET技術(shù)做為基石，并將導(dǎo)入極紫外光(EUV)混搭雙重曝光(DoublePatterning)的生產(chǎn)模式，同時擷取兩種制程優(yōu)勢，加速晶圓產(chǎn)出時程和降低開銷。

臺積電研發(fā)副總林本堅分析，晶圓代工業(yè)者原先規(guī)畫在20奈米世代就引進EUV微影制程；然而，EUV生產(chǎn)成本驚人且相關(guān)設(shè)備至今難產(chǎn)，遂導(dǎo)致制程技術(shù)發(fā)展延宕。預(yù)計在2015年步入10奈米世代后，才會突顯出EUV技術(shù)的必要性。

值得一提的是，臺積電綜合制造成本與客戶需求考量，同一片10奈米晶圓部分制程仍將沿用雙重曝光方式。林本堅指出，雖然EUV僅須曝光一次，生產(chǎn)效率高，但機臺昂貴將加重生產(chǎn)成本；因此，在不同的光罩層搭配雙重曝光技術(shù)，方能改善成本結(jié)構(gòu)加速商用。

至于10奈米以下制程，林本堅認(rèn)為，屆時EUV技術(shù)將更臻成熟，成本也大有改進，更適合用來提升10奈米以下晶圓生產(chǎn)效率。不過，到時候多重電子束(MultiE-Beam)也可望突破技術(shù)桎梏，成為晶圓代工業(yè)者另一個選擇；臺積電將密切觀察兩項技術(shù)進展，并審慎評估生產(chǎn)效益，擇其一切入7奈米制程研發(fā)。

在此同時，臺積電亦揭橥2013～2018年18寸晶圓發(fā)展的階段性目標(biāo)。臺積電十二寸廠營運副總經(jīng)理王建光透露，該公司最快將于2013～2014年推出18寸晶圓樣品制造工具，隨后于2015年提供測試設(shè)備(DemoTool)；整段18寸晶圓產(chǎn)線則預(yù)定在2016～2017年完成，并于2018年正式啟動量產(chǎn)。

顯而易見，臺積電今年積極參與G450C聯(lián)合組織(Global450Consortium)，并大灑銀彈入股半導(dǎo)體設(shè)備大廠--艾司摩爾(ASML)，分頭從18寸晶圓制程標(biāo)準(zhǔn)、機臺研發(fā)方向著手，成效已逐漸浮現(xiàn)。

王建光強調(diào)，除與國際大廠協(xié)商18寸晶圓發(fā)展共識外，臺積電也戮力拉攏臺灣半導(dǎo)體材料、設(shè)備、電子設(shè)計自動化(EDA)與封測服務(wù)供應(yīng)商，開發(fā)一套獨特18寸晶圓制作模式，實現(xiàn)差異化布局。2018年后，F(xiàn)inFET10奈米將以18寸晶圓形式產(chǎn)出，大幅縮減晶片成本與功耗；同時降低晶圓制作過程中的水、電營運開支，進一步強化臺積電的市場競爭力。