ST計(jì)劃為Dresden代工廠導(dǎo)入28nm FDSOI制程

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆矽(FDSOI)制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)，期望于2013年第四季在Globalfoundries于德國(guó)德勒斯登(Dresden)的Fab1代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

ST宣稱，在相同的功耗條件下，其28nmFDSOI制程比28nmCMOS制程所能實(shí)現(xiàn)的性能能更高30%以上，或者在相同的性能時(shí)，其28nm可節(jié)省更高達(dá)50%的動(dòng)態(tài)功耗。這是因?yàn)镕DSOI制程可讓電壓降低到0.6V，而CMOS只能降低至0.9V，ST前段制程部門(mén)執(zhí)行副總裁JoelHartmann解釋。

Hartmann說(shuō)，業(yè)界多家公司采用了由SOI聯(lián)盟提供的28nmFDSOI實(shí)體設(shè)計(jì)套件。然而，他們還希望能夠確保這一制程性能提升以符合其需求，因而必須展開(kāi)與Globalfoundries的進(jìn)一步合作。

「我們已經(jīng)與Globalfoundries之間建立一項(xiàng)合作備忘錄(MoU)了，現(xiàn)在我們正洽談合作細(xì)節(jié)，」Hartmann表示。Globalfoundries已在2012年6月與ST以及其它客戶簽署了FDSOI晶片代工合約。ST先前已在其于法國(guó)Crolles的晶圓廠導(dǎo)入28nmFDSOI制程。

為了補(bǔ)充法國(guó)Crolles廠的產(chǎn)能，Hartmann說(shuō)，Globalfoundries將在其于德國(guó)DresdenFab1廠導(dǎo)入這項(xiàng)FDSOI制程，目前該廠進(jìn)行的是32/28nmCMOS制造?！溉绻覀?cè)谶@個(gè)月或從二月開(kāi)始的話，Globalfoundries可望在2013年第四季開(kāi)始量產(chǎn)FDSOI，」Hartmann說(shuō)。

Hartmann坦承，SOI晶片的原始晶片成本大約是標(biāo)準(zhǔn)矽晶的兩到三倍。但FDSOI制程更簡(jiǎn)單，因而更能節(jié)省成本以及提高良率，他說(shuō)，「FDSOI制程成本比CMOS更便宜10-12%，這將使我們能夠在大量制造時(shí)完全彌補(bǔ)SOI基底的額外成本，」Hartmann說(shuō)。

ST子公司ST-Ericsson推出的一款LTEmodem-應(yīng)用處理器──L8580，采用28nmFDSOI制造，預(yù)計(jì)將在今年第一季出樣。Altera公司一位資深工程師針對(duì)FDSOI進(jìn)行評(píng)估FDSOI表示，該技術(shù)還能為FPGA帶來(lái)特別的好處?！冈赟T內(nèi)部，我們也期望應(yīng)用該新制程于功耗格外重要的消費(fèi)電子領(lǐng)域，」Hartmann說(shuō)。不過(guò)，他并未透露ST的哪些產(chǎn)品或產(chǎn)品線將會(huì)轉(zhuǎn)移至FDSOI制程制造。