三星領先臺積 14納米進化

三星21日宣布成功試產第1顆導入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。

韓聯(lián)社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產出旗下第1顆采用FinFET技術的14納米測試芯片。

三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術可提升電子裝置效能并降低耗電量，進一步改善行動環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構，試產成功的14納米FinFET測試芯片。

晶圓代工行動裝置芯片商機大，F(xiàn)inFET技術可以解決不斷微縮的納米芯片的漏電問題。三星原本預計14納米FinFET于2014年量產，與臺積電規(guī)劃的16納米FinFET同步。隨著三星14納米FinFET試產芯片推出，半導體業(yè)者認為，三星FinFET不排除提前半年量產。

臺積電面臨三星來勢洶洶的競爭外，格羅方德9月也宣布推出以FinFET導入的14納米元件，預計2013年底進入客戶試產階段，2014年正式量產;聯(lián)電則預計2014年試產。

臺積電為了防堵競爭對手，預計使用安謀首款64位元處理器「v8」來測試16納米FinFET制程，預計明年11月推出首款測試芯片，最快2014年量產。臺積電南科14廠將作為第1個量產16納米FinFET基地，再下一個世代的10納米FinFET制程，預計于2015年底推出。