英特爾CTO：14納米芯片將在1至2年內(nèi)量產(chǎn)

北京時(shí)間12月5消息，據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，英特爾首席技術(shù)官(CTO)賈斯廷·拉特納(Justin Rattner)12月4日表示，英特爾的14納米芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)正在按計(jì)劃實(shí)施，將在1、2年內(nèi)開(kāi)始批量生產(chǎn)。18英寸晶圓的開(kāi)發(fā)正在通過(guò)與合作伙伴合作進(jìn)行。

拉特納還指出，英特爾積極地推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步將使摩爾定律再延長(zhǎng)10年。

在2013年年底，英特爾將進(jìn)入14納米處理器(14納米工藝代碼名稱為P1272)和系統(tǒng)芯片(P1273)時(shí)代。同時(shí)，英特爾將擴(kuò)大在美國(guó)俄勒岡州的D1X Fab加工廠和亞利桑那州的第42加工廠的投資，并且擴(kuò)大在愛(ài)爾蘭的第24加工廠的投資。從2015年開(kāi)始，英特爾將逐步進(jìn)入10納米、7納米和5納米工藝時(shí)代。

至于英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星已經(jīng)確定在2013年開(kāi)始應(yīng)用20納米工藝，并且已經(jīng)在研制14納米節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的20納米工藝將在2013年下半年開(kāi)始小批量生產(chǎn)，首先開(kāi)始生產(chǎn)基于3D的FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)芯片。

Globalfoundries以前宣布其14納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)工藝將在2013年年底開(kāi)始試生產(chǎn)并且在2014年開(kāi)始大批量生產(chǎn)。

至于18英寸晶圓，英特爾已經(jīng)向荷蘭的ASML公司的EUV技術(shù)進(jìn)行了投資。相關(guān)的技術(shù)將在2017年開(kāi)始投產(chǎn)。