分析新芯/中芯/同方國(guó)芯等NAND Flash晶圓制造商現(xiàn)狀

紫光旗下同方國(guó)芯提出私募800億元人民幣的增資案，用于Flash產(chǎn)業(yè)，而同方本次增資規(guī)模已接近大基金規(guī)模6成，可看出推動(dòng)Flash產(chǎn)業(yè)是高度資本集中。TrendForce旗下拓墣研究所相關(guān)報(bào)告將檢視中國(guó)Flash產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀(特別著重在Flash晶片制造業(yè))的發(fā)展和機(jī)會(huì)。其中，小編在此為各位分享中國(guó)主要Flash晶圓制造商的現(xiàn)狀。

(一)、武漢新芯

1. 產(chǎn)能狀況

武漢新芯為專業(yè)Foundry廠商，主要生產(chǎn)NOR Flash和BSI CIS等技術(shù)，12寸晶圓月產(chǎn)能2.2萬(wàn)片;2014年NOR Flash和BSI產(chǎn)能規(guī)劃各為每月1萬(wàn)片和1.2萬(wàn)片，目前月產(chǎn)能配置仍維持在2.2萬(wàn)片，在產(chǎn)品上更多Low Power Logic和NAND Flash。

2. 人力與研發(fā)支援

武漢新芯在研發(fā)團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新力和執(zhí)行力，得益于長(zhǎng)期與中科院微電子研究所展開(kāi)緊密的合作，在3D NAND項(xiàng)目，雙方採(cǎi)用創(chuàng)新合作模式，即將雙方專家在研發(fā)專案和人力資源的管理上，透過(guò)企業(yè)平臺(tái)合為一體，此模式將中科院微電子所深厚的理論背景，與武漢新芯豐富的制造和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)有機(jī)會(huì)相結(jié)合。

3. 國(guó)際合作與進(jìn)展

在2014年中，武漢新芯成功將NAND技術(shù)由55nm推向32nm(與Spansion合作)，至2014年底，武漢新芯與記憶體領(lǐng)域的世界級(jí)研發(fā)團(tuán)隊(duì)Spansion(已併入Cypress)組建聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開(kāi)始3D NAND專案的研發(fā)工作。2015年5月11日武漢新芯宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，第一個(gè)存儲(chǔ)測(cè)試晶片通過(guò)記憶體功能的電學(xué)驗(yàn)證，雖目前并未有相關(guān)細(xì)節(jié)流出，但此合作案目標(biāo)將是在2017年量產(chǎn)出規(guī)格為32層之堆疊4x nm的3D NAND。

(二)、中芯國(guó)際

中芯國(guó)際為全球第五大，也是中國(guó)第一大的晶圓制造廠商，主要是以邏輯IC的代工業(yè)務(wù)為主，雖在2013年退出武漢新芯的經(jīng)營(yíng)，但在Flash業(yè)務(wù)上仍未缺席。

2014年以前，中芯國(guó)際已開(kāi)發(fā)出一系列從130nm到65nm特殊NOR Flash的記憶體生產(chǎn)平臺(tái)，2014年9月10日更是宣布38nm NAND Flash記憶體工藝制程已準(zhǔn)備就緒。

雖然由中芯國(guó)際公開(kāi)的營(yíng)收資訊中可看出38nm NAND Flash自推出至今，未在營(yíng)收上嶄露頭角;然而中芯表示，此技術(shù)突破，說(shuō)明中芯在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展，也為后續(xù)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定穩(wěn)固基礎(chǔ)，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，但近期中國(guó)極力想突破記憶體自制缺口，此技術(shù)讓中芯在未來(lái)可能進(jìn)一步強(qiáng)化在NAND Flash記憶體的制造能力。

(三)、紫光集團(tuán)：同方國(guó)芯定增

如上所述，同方國(guó)芯的大規(guī)模定增將投入到Flash的研發(fā)和制造。

紫光集團(tuán)在此規(guī)劃項(xiàng)目上，不如武漢新芯或中芯國(guó)際有較完整的技術(shù)累積，所以主要是透過(guò)資本和供應(yīng)鏈協(xié)同方式進(jìn)行操作。

以中國(guó)內(nèi)部和資金的角度而言，有機(jī)會(huì)取得領(lǐng)先(此次投入計(jì)劃約在180億美元，相對(duì)中芯國(guó)際2015年Capex約在15億美元和2016年預(yù)計(jì)21億美元而言，是相當(dāng)龐大)，是紫光主要優(yōu)勢(shì)，但風(fēng)險(xiǎn)在沒(méi)有技術(shù)支援下，如何讓技術(shù)、量產(chǎn)能力能與資金同時(shí)到位，順利轉(zhuǎn)量產(chǎn)。

相對(duì)國(guó)際一線大廠Samsung(2015年Capex約在135億美元和2016年預(yù)計(jì)115億美元)，此2年180億美元假話，仍落后于Samsung 2年投入，如何確保紫光相關(guān)投入能達(dá)到與一線大廠投入相同的效果，將是投資要成功的最大困難點(diǎn)，在無(wú)既有營(yíng)運(yùn)支持下，當(dāng)生產(chǎn)能力無(wú)法順利到位，如何有資金維繫工廠月產(chǎn)能12萬(wàn)片的營(yíng)運(yùn)與研發(fā)將是問(wèn)題，紫光如何突破生產(chǎn)技術(shù)的取得和授權(quán)，將是整個(gè)投資最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。

(四)、外資晶圓制造企業(yè)在中國(guó)：Samsung與Intel

1. Samsung西安Flash工廠產(chǎn)能拉高至每月產(chǎn)出10萬(wàn)片

目前以Samsung在中國(guó)的投資最為領(lǐng)先，Samsung至2015年底投入西安廠的投資總金額已超過(guò)50億美元，產(chǎn)能建置來(lái)到每月8萬(wàn)片，Samsung于西安佈建最先進(jìn)的3D NAND Flash制程，預(yù)計(jì)2016年底將產(chǎn)能進(jìn)一步拉升至每月10萬(wàn)片。

2. Intel大連廠轉(zhuǎn)為3D NAND Flash廠

Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產(chǎn)線的大連廠，改建為月產(chǎn)能3萬(wàn)片的3D NAND Flash廠，預(yù)計(jì)2016年先投入15億美元，到2016第四季開(kāi)始投片生產(chǎn)，月產(chǎn)能估計(jì)達(dá)1萬(wàn)片。

Samsung和Intel在中國(guó)NAND Flash的產(chǎn)能建置，預(yù)估至2016年第四季將達(dá)到每月11萬(wàn)片，約佔(zhàn)全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產(chǎn)出納入考慮，加上中國(guó)廠商的進(jìn)展，則Made in China的NAND位元數(shù)在2017年全球佔(zhàn)比有機(jī)會(huì)達(dá)到10%。

(五)、TRI觀點(diǎn)

武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術(shù)推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，是中國(guó)在NAND Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)展最快的廠商。

中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，此技術(shù)仍為后續(xù)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

紫光集團(tuán)在Flash相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)中，資金是主要優(yōu)勢(shì)，但在沒(méi)有既有營(yíng)運(yùn)的支持下，如何突破生產(chǎn)技術(shù)的取得和授權(quán)，會(huì)是整個(gè)投資最關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

國(guó)際投資方面，Samsung和Intel在中國(guó)NAND Flash的產(chǎn)能建置，預(yù)估至2016年第四季將達(dá)每月11萬(wàn)片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。

NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場(chǎng)的成長(zhǎng)空間，以及國(guó)際半導(dǎo)體大廠在中國(guó)的投資，則為中國(guó)發(fā)展NAND Flash制造產(chǎn)業(yè)提供切入機(jī)會(huì)。