西部數(shù)據(jù)推出X4 3D NAND技術(shù)

 西部數(shù)據(jù)公司今天宣布，該公司已成功開(kāi)發(fā)用于64層3D NAND (BiCS3)的X4閃存。在西部數(shù)據(jù)過(guò)去成功開(kāi)發(fā)創(chuàng)新和商品化X4 2D NAND技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運(yùn)用其深厚的重直整合能力，開(kāi)發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程(在每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上提供16個(gè)不同的資料等級(jí))、和系統(tǒng)專(zhuān)門(mén)技術(shù)(用于整體閃存管理)。BiCS3 X4技術(shù)可在單晶片上提供領(lǐng)先業(yè)界的768 GB存儲(chǔ)能力，與采用X3技術(shù)的512 GB晶片數(shù)量相比其晶片數(shù)量增加近50%。西部數(shù)據(jù)將于8月間在加州圣塔克拉拉舉行的閃存高峰會(huì)上，展出具有BiCS3 X4和系統(tǒng)能力的移動(dòng)式產(chǎn)品和固態(tài)硬盤(pán)(SSDs)。

西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“BiCS3 X4架構(gòu)的建立是西部數(shù)據(jù)的一項(xiàng)重大創(chuàng)舉，因?yàn)樗C明了我們?cè)贜AND閃存技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，也使得我們能夠?yàn)轭櫩吞峁└嗟拇鎯?chǔ)解決方案的選擇。”

“今天的宣布中，最引人注目的是我們?cè)赬4架構(gòu)上采用的創(chuàng)新技術(shù)。因此，我們的BiCS3 X4可提供相當(dāng)于BiCS3 X3的性能特性?？s小X4與X3架構(gòu)之間的性能差距，是我們的一項(xiàng)重要差異化能力。此一能力應(yīng)有助于在未來(lái)數(shù)年內(nèi)帶動(dòng)X4技術(shù)更廣泛的市場(chǎng)接受度。”

這項(xiàng)全新成就是源于西部數(shù)據(jù)在閃存創(chuàng)新方面近30年領(lǐng)先業(yè)界的長(zhǎng)期累積，包括X2和X3多級(jí)單元閃存技術(shù)。

西部數(shù)據(jù)公司期望在各種多重終端應(yīng)用中，利用X4支援較高容載限點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)，將此技術(shù)商品化。同時(shí)，未來(lái)的3D NAND技術(shù)(包括96層BiCS4)也將具備X4能力的特色。