英特爾再次展示EMIB封裝技術(shù)：能把10nm、14nm及22nm封裝在一起

2018年半導(dǎo)體工藝即將邁入7nm節(jié)點(diǎn)，大家都知道制造工藝越先進(jìn)越好，對(duì)性能、能效都有改善，但是先進(jìn)工藝也有自己的難題，研發(fā)、投資成本越來越高，最關(guān)鍵的是不是所有芯片都需要先進(jìn)工藝，那么不同工藝的芯片如何融合到一起呢?當(dāng)然是用“膠水”了，這個(gè)還真別笑，能做到這種級(jí)別的膠水封裝并不容易，英特爾在今年的Hotchips會(huì)議上再次展示了EMIB封裝技術(shù)，能夠把10nm、14nm及22nm不同工藝的核心封裝在一起做成單一處理器。

AMD在Fury X顯卡上使用過2.5D封裝

在AMD的Fury X顯卡上，AMD首次商業(yè)化了HBM顯存技術(shù)，號(hào)稱減少了95%的PCB面積，作出了15厘米長(zhǎng)度的旗艦卡，而這主要就是靠HBM顯存的3D封裝，準(zhǔn)確來說當(dāng)時(shí)還是2.5D封裝，就是把GPU核心與HBM核心封裝在一個(gè)底座上。

英特爾的EMIB(Embedded Multi-Die Interconnect Bridge，嵌入式多核心互聯(lián)橋接)封裝技術(shù)理念跟上面的2.5D封裝類似，但技術(shù)水平更高。此前英特爾在去年的Hotchips芯片上就展示過EMIB技術(shù)，今年的Hotchips會(huì)議上英特爾又展示了一次。

看英特爾展示的這個(gè)示意圖就能明白EMIB是干什么的了，左邊的是傳統(tǒng)芯片，CPU核心、GPU核心、內(nèi)存控制器及IO核心都只能使用一種工藝制造，而右邊的EMIB芯片就不同了，CPU、GPU核心可以使用10nm工藝，這兩部分對(duì)新工藝要求更高，而IO單元、通訊單元可以使用14nm工藝，內(nèi)存部分則可以使用22nm工藝，EMIB封裝可以把三種不同工藝的單路單元做成一個(gè)處理器。

英特爾在之前的宣傳視頻中也對(duì)比EMIB封裝與傳統(tǒng)2.5封裝的優(yōu)缺點(diǎn)，EMIB技術(shù)具有正常的封裝良率、不需要額外的工藝、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。

那么英特爾的EMIB技術(shù)能做什么?要知道現(xiàn)在的英特爾不僅有處理器業(yè)務(wù)，還準(zhǔn)備研發(fā)高性能GPU，還收購(gòu)了Altera的FPGA芯片業(yè)務(wù)，又買了別家的AI芯片業(yè)務(wù)，EMIB封裝技術(shù)可以根據(jù)需要封裝不同的CPU核心、IO、GPU核心甚至FPGA、AI芯片，幫助英特爾靈活應(yīng)對(duì)不同業(yè)務(wù)的需求。