臺(tái)積電：5nm整體放量速度比7nm快，將是下一個(gè)成長(zhǎng)主力

臺(tái)積電總裁魏哲家在昨(18)日的財(cái)報(bào)會(huì)議中指出，預(yù)計(jì)5nm制程一開始起步將會(huì)比7nm慢一些些，但由于極紫外光(EUV)技術(shù)成熟度會(huì)加快，讓很多芯片能更有效率，因此看好5nm整體放量速度將會(huì)比7nm要快，并成為臺(tái)積電下一波成長(zhǎng)主力。

魏哲家還指出，5nm制程所導(dǎo)入的產(chǎn)品應(yīng)用，主要以移動(dòng)設(shè)備的處理器和高速運(yùn)算電腦為主，且在進(jìn)入5G時(shí)代后，采用該制程的客戶產(chǎn)品類別與數(shù)量都會(huì)增加，使5nm制程整體市場(chǎng)規(guī)模更將大于7nm。

據(jù)臺(tái)積電第一季度財(cái)報(bào)顯示，7nm制程占晶圓總收入的22%，環(huán)比持平。10nm貢獻(xiàn)了4%，環(huán)比下降2.3個(gè)百分點(diǎn)，而16nm工藝技術(shù)占16%。先進(jìn)制程(16納米及以下)營(yíng)收占總收入的42%，環(huán)比下降7個(gè)百分點(diǎn)。先進(jìn)制程營(yíng)收占比下降的主要原因是：14B廠受光阻原料事件影響，其部分12、16 nm制程晶圓報(bào)廢。

另外，臺(tái)積電表示將維持2019年資本支出100~110億美元的規(guī)劃，并將其80%資金投入先進(jìn)制程(7/5/3nm) 。

對(duì)于5nm制程實(shí)際產(chǎn)能的投入，魏哲家則指出，臺(tái)積電5nm已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)階段，明年上半年預(yù)計(jì)會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)，但目前在這部分的態(tài)度將會(huì)較謹(jǐn)慎看待，初期布建產(chǎn)能不會(huì)太多，但預(yù)期隨著客戶訂單陸續(xù)到位，5nm制程放量速度將比7nm要快上許多，也會(huì)是臺(tái)積電未來(lái)幾年成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽堋?/p>