ATLab開發(fā)出多點(diǎn)觸控式電阻膜技術(shù)

時(shí)間：2009-06-28 01:55:09

關(guān)鍵字： LAB 電阻多點(diǎn)觸控 MT

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[導(dǎo)讀]韓國(guó)ATLab Inc宣布開發(fā)出電阻式多點(diǎn)觸控(Resistive Multi Touch，R-MT)技術(shù)，Han wool Information Tech (HWIT)公司將負(fù)責(zé)制作產(chǎn)品。據(jù)ATLab表示，其技術(shù)具備電阻膜觸控屏幕的低價(jià)優(yōu)勢(shì)，且性能可超越iPhone。ATLab開

韓國(guó)ATLab Inc宣布開發(fā)出電阻式多點(diǎn)觸控(Resistive Multi Touch，R-MT)技術(shù)，Han wool Information Tech (HWIT)公司將負(fù)責(zé)制作產(chǎn)品。據(jù)ATLab表示，其技術(shù)具備電阻膜觸控屏幕的低價(jià)優(yōu)勢(shì)，且性能可超越iPhone。

ATLab開發(fā)的電阻膜R-MT技術(shù)為100%數(shù)字電路，可達(dá)到快速反應(yīng)及減少功率消耗等目標(biāo)。R-MT允許使用者同時(shí)使用手指及手寫方式，輸入語(yǔ)言方面無(wú)限制，可使用韓文、英文或漢字。還可用手指放大或縮小圖片。

在制作成本方面，R-MT也較電容式多點(diǎn)觸控(C-MT)更具優(yōu)勢(shì)。目前，ATLab已擁有三項(xiàng)相關(guān)專利，包括：KRAP10-2008-0127410；KRAP10-2009-0014944；KRAP10-2009-0028199。

新的R-MT大幅簡(jiǎn)化了制程，它以UV Ink和內(nèi)建ITO之Poly Carbonate取代使用光學(xué)式薄膜與2張ITO膜的方式，可大幅減少制作成本、提高產(chǎn)品制作速度，甚至還可以提高良率。據(jù)估計(jì)，透過(guò)上述方式，約可減少10~15%的成本支出。

ATLab Inc已開發(fā)出兼具電阻與電容觸控優(yōu)點(diǎn)的技術(shù)，未來(lái)也計(jì)劃推出客制化產(chǎn)品，為用戶提供ASIC解決方案。（編輯：于占濤）