基于氮化鎵的LED：成本效益更低

過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛(ài)思強(qiáng))公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自身的技術(shù)制造基于硅襯底的氮化鎵晶片。

“我們使用更薄的氮化鎵層，和其他6-8μm的氮化鎵硅工藝技術(shù)相比，我們僅僅只有2.5μm。”普萊塞的高亮度LED產(chǎn)品線主任Neil Harper在一份聲明中說(shuō)。更薄的氮化鎵意味著較少的沉積時(shí)間和單位時(shí)間內(nèi)的更多的LED產(chǎn)能。

基于硅襯底的GaN LED有150 lm/W的效能，而且普萊塞預(yù)計(jì)95%的產(chǎn)能效益為，在1mm2的面積上6個(gè)晶片可以生產(chǎn)14000個(gè)高亮度LED芯片。普萊塞還打算將在將來(lái)8英寸的襯底上有更大的成本減少。

藍(lán)色LED有個(gè)顯著的特征是，首批樣品在峰值發(fā)射時(shí)，在波長(zhǎng)為460nm處電流為350mA。這項(xiàng)技術(shù)可以延伸到其他發(fā)射波長(zhǎng)，例如，在磷的轉(zhuǎn)換下，500nm的青色和530nm的琥珀綠可實(shí)現(xiàn)白色光輸出。在今年晚些時(shí)候，黑白輸出將起初實(shí)現(xiàn)提供80 lm/W，預(yù)計(jì)到2012年6月能提供150 lm/W。

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