美國能源部(DOE)下屬能源轉(zhuǎn)換機構ARPA-E已經(jīng)選定氮化鎵對氮化鎵(GaN-on-GaN)新成立公司Soraa來引領GaN基質(zhì)研發(fā)項目。
新成立公司Soraa在二月份舉辦的照明策略大會(the Strategies in Light Conference)上毫無動靜,但隨后憑借GaN-on-GaN LED技術崛起,目前,該公司宣稱將引領專注于GaN基質(zhì)研發(fā)的DOE項目。美國能源部稱之為先進研究項目結(jié)構--能源(ARPA-E,Advanced Research Projects Agency - Energy),2011年初始資金資助Soraa,現(xiàn)在Soraa已經(jīng)成為DOE的優(yōu)先合同商。
Soraa認為,GaN能立即應用到亮度更高的LED和其他行業(yè)中。對基質(zhì)和外延層使用相同的材料能更好地與水晶結(jié)構相結(jié)合。Soraa表示,這能夠驅(qū)動更高電流的LED,而實現(xiàn)更低的偏差。
Soraa指出,半導體行業(yè)中的其他分部使用稱之為同底基質(zhì)的材料,如用于制造微處理器等大量數(shù)字IC的硅對硅(silicon-on-silicon)技術。在LED和其他應用中采用GaN-on-GaN技術已經(jīng)受到了基質(zhì)高成本的阻撓。ARPA-E機構希望利用此次機會研發(fā)出美國開發(fā)的解決方案。
Soraa創(chuàng)始人Shuji Nakamura在其研發(fā)高功率LED工作中具有豐富的GaN經(jīng)驗。Shuji Nakamura表示,"我已經(jīng)花費數(shù)十年的時間來研究LED中的氮化鎵,因為我相信這是一項很重要的開發(fā),并在照明、電力電子和其他領域的節(jié)能技術上具有廣闊的前景"。
"ARPA-E很清楚Soraa的系統(tǒng)設計和能力代表了一條通往高質(zhì)量和低成本GaN基質(zhì)的突破之路",ARPA-E項目總監(jiān)Mark Johnson表示,"我們很高興支持他們開發(fā)、提高晶體質(zhì)量和設備性能"。
DOE認為,GaN基質(zhì)具有極大減少美國能源消耗的潛能。再者,DOE預測LED、激光器二極管和電力電子等GaN產(chǎn)品每年的市值超過500億美元。
"對于ARPA-E承認Soraa的GaN基質(zhì)技術,我們感到很高興和很榮幸",Soraa在該項目的首席投資者Mark D''EvELyn表示,"DOE對該轉(zhuǎn)換技術的認知和支持有望加快提升節(jié)能水平,加強美國LED技術的能力和提高其他眾多應用的性能"。
編輯:李杰