氮化物半導體襯底材料的發(fā)展趨勢
中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇 組委會
活動網(wǎng)址:www.icef.com.cn/led
2013年4月11日-12日,2013中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇將在深圳會展中心隆重舉辦。中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇是由中國半導體照明/LED產(chǎn)業(yè)與應用聯(lián)盟主辦,是繼2012年兩次半導體照明/LED標準宣貫會的高規(guī)格與高水準活動之后,又一次LED產(chǎn)業(yè)范圍內(nèi)的行業(yè)盛會。
此次論壇,許多資深的LED行業(yè)專家將做出精彩紛呈的專家報告。2013年4月11日上午,中鎵半導體科技有限公司總經(jīng)理張國義先生,將在論壇上作《氮化物半導體襯底材料的發(fā)展趨勢》的報告。
張國義,理學博士,現(xiàn)任北京大學物理學院教授,半導體光電子學專業(yè)博士生導師,北京大學寬禁帶半導體聯(lián)合研究中心主任,北京大學東莞光電研究院常務副院長。兼任中國物理學會發(fā)光分科學會理事;中國電子學會信息光電子分會理事,中國物理學會半導體專業(yè)委員會委員,中國光學協(xié)會LED行業(yè)協(xié)會咨詢委員會委員;是國家半導體照明研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的專家組成員;是《半導體學報》,《發(fā)光學報》,《液晶和顯示》的編委。
襯底材料決定著外延、芯片、封裝應用的技術(shù)發(fā)展方向,不同的襯底要求不同的工藝,并得到不同的結(jié)果,因此,襯底技術(shù)的發(fā)展不僅影響著整個行業(yè)技術(shù)的發(fā)展,還是第三代半導體的核心技術(shù),更是國際競爭的焦點。此次報告主要介紹了氮化物半導體襯底技術(shù)的發(fā)展趨勢,其中重點的介紹了GaN單晶襯底,圖形襯底和Si襯底的發(fā)展趨勢。
GaN是直接帶隙的材料,其光躍遷幾率比間接帶隙的高一個數(shù)量級。因此,寬帶隙的GaN在半導體在短波長發(fā)光二極管、激光器和紫外探測器,以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景,是很適合于環(huán)保的材料體系。
圖形化襯底技術(shù)(Pattemed Sapphire Substrate),簡稱“PSS”。通過在藍寶石LED襯底表面制作具有細微結(jié)構(gòu)的圖形,然后再在圖形化襯底表面進行LED材料外延。藍寶石LED襯底經(jīng)過PPS加工后,會改善藍寶石LED襯底的缺陷,由外延芯片封裝出來的LED最終能有效提高光提取效率。
硅具有Fd3m空間群的金剛石結(jié)構(gòu),屬立方體系。由沿體對角線方向位移1/4體對角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。硅襯底是目前市場價格最便宜,可獲得尺寸最大,器件工藝較成熟的半導體材料。
究竟氮化物半導體襯底技術(shù)的發(fā)展趨勢如何,市場對于襯底技術(shù)又有著怎樣的時代要求,在此次的報告中,都將有著更為詳細的闡述。此次論壇涵蓋了LED全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)熱點、創(chuàng)新應用、相關(guān)標準與政策,包括:封裝、材料、OLED發(fā)展、LED照明、大型國產(chǎn)設備、半導體照明標準培訓、節(jié)能惠民工程招標介紹等。同時還增添了新品發(fā)布環(huán)節(jié),在頭腦風暴的同時能夠及時了解行業(yè)動態(tài)。同期舉辦的中國LED展,是中國電子信息博覽會旗下的專業(yè)展覽,由中國半導體照明/LED產(chǎn)業(yè)與應用聯(lián)盟、中國電子器材總公司聯(lián)合主辦。以健康發(fā)展,協(xié)同共贏為主題,10萬平方米超大平臺,預計2000家參展企業(yè)、90000成熟業(yè)內(nèi)買家!該展會將集中展示全國LED產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀企業(yè)的陣容、實力和水平,充分利用國(境)內(nèi)外多種資源,努力打造LED和半導體照明產(chǎn)業(yè)的領航展會。
2013中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇嘉賓陣容龐大,正蓄勢待發(fā)。
【聯(lián)系方式】
中電會展與信息傳播有限公司
地址:北京市復興路49號A座702室 郵編:100036
電話:010-51662329轉(zhuǎn)65、22
傳真:010-68132578、010-68189519
電子信箱:chinaLED@ceac.com.cn
聯(lián) 系 人:安然 、王瑩
不要錯過您拓展人脈、更新信息的好機會
接下來附上2013年中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇日程