GT推HVPE系統(tǒng)加速磊晶生長， 資本支出可望減少25%

LED價格下滑趨勢不變，LED晶片廠不斷在制程與技術(shù)方面進(jìn)行改善以降低成本，半導(dǎo)體設(shè)備廠極特先進(jìn)科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)開發(fā)取代MOCVD中nGaN和uGaN生長制程的HVPE系統(tǒng)，未來LED晶片廠可以透過增加HVPE系統(tǒng)的方式加速磊晶生長，相較以添購MOCVD方式擴(kuò)增產(chǎn)能，輔以HVPE系統(tǒng)擴(kuò)增產(chǎn)能可望為LED晶片廠最高省下25%的資本支出。

GT已在2013年5月發(fā)表利用Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下子公司）獨家擁有的HVPE專利技術(shù)，HVPE技術(shù)的特點是生長速率快，能夠以較低的成本快速生長nGaN和uGaN，HVPE所用的前驅(qū)體(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驅(qū)體TMG，便宜10倍，加上HVPE系統(tǒng)在nGaN和uGaN的產(chǎn)出速度較MOCVD快，因此，LED晶片廠未來可以透過增加HVPE系統(tǒng)方式擴(kuò)增產(chǎn)能。

GT舉例說明指出，一臺HVPE的產(chǎn)能相當(dāng)于2臺MOCVD,也就是對于一個已經(jīng)擁有12臺MOCVD的LED晶片廠來說，廠商若希望將產(chǎn)能增加一倍，已往就是采取再度購置12臺MOCVD方式達(dá)成目標(biāo)，但現(xiàn)在可以在不添增MOCVD機(jī)臺下，進(jìn)而購置6臺HVPE系統(tǒng)，以HVPE系統(tǒng)取代nGaN和uGaN的生長制程，同時可以讓MOCVD機(jī)臺專注于其他layer的生長達(dá)到產(chǎn)能擴(kuò)增的目標(biāo)，這樣一來，LED晶片廠購置設(shè)備成本將可望明顯降低。

GT指出，HVPE系統(tǒng)可實現(xiàn)藍(lán)寶石基GaN的規(guī)?；?、低成本生產(chǎn)，估計HVPE系統(tǒng)可降低超過80%的前驅(qū)體成本，同時提高昂貴MOCVD制程的產(chǎn)量，最高可以為LED晶片廠降低25%資本支出，HVPE系統(tǒng)預(yù)計將于2014年下半年上市。