6日，科銳（Nasdaq: CREE）宣布推出新款CPW5 Z-Rec?高功率碳化硅肖特基二極管以及業(yè)界首款商業(yè)化量產(chǎn)50A碳化硅整流器。新款二極管產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化設計，使得碳化硅技術能夠在50kW至超過1MW的高功率系統(tǒng)中得到應用，從而帶來成本降低、效率提高、系統(tǒng)簡化和可靠性提升。新產(chǎn)品適合于包括太陽能光伏逆變器、工業(yè)用電源、感應加熱、充電基站、風機變流器、牽引逆變器等應用。
科銳開發(fā)的CPW5肖特基50A二極管能夠與50A金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）直接匹配，通過單個CPW5整流器替換原有多個低電壓低電流碳化硅肖特基二極管或硅PIN二極管，從而降低系統(tǒng)復雜度和成本。此外，由于碳化硅開關過程中電壓過沖減少，實現(xiàn)了最大額定電壓的降低和緩沖電路的消除，從而帶來了額外的成本節(jié)約。
科銳CPW5碳化硅肖特基二極管
APEI公司業(yè)務拓展總監(jiān)Ty McNutt表示：“科銳CPW5系列碳化硅肖特基二極管是我們高性能功率模塊和功率電子系統(tǒng)中的核心組件。低正向電壓降、快開關速度 、溫度性能提升，這一切都使得我們能夠在包括高功率電機驅動和太陽能逆變器在內(nèi)的多種不同應用中實現(xiàn)更為優(yōu)異的功率密度和效率。”
科銳CPW5碳化硅肖特基二極管能夠帶來新一代的高電流硅/碳化硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊?；旌瞎?碳化硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊能夠比傳統(tǒng)模塊降低最高43%的開關損耗，同時降低電壓過沖、電流過沖、開關死區(qū)時間和冷卻條件等。還有一個好處就是，設計工程師們可以采用與傳統(tǒng)模塊相同的門級驅動器和電路，從而使得實施操作更為簡單快捷?？其JCPW5碳化硅肖特基二極管還以提供超過500A重復和2000A不重復峰值正向浪涌電阻，從而在最為嚴峻惡劣的電氣條件下仍能夠提供更高的可靠性。
SemiDice公司首席執(zhí)行官Dan Cormack表示：“作為科銳碳化硅功率器件晶圓片和裸芯的獨家代理商，SemiDice很高興銷售科銳CPW5系列Z-Rec?碳化硅肖特基二極管。我們看到客戶對于50A肖特基二極管的需求正在不斷增加?？其J作為先進碳化硅二極管的全球領先制造商，將會為我們的客戶提供卓越的品質和性能，從而幫助他們最大程度地降低系統(tǒng)成本和減小系統(tǒng)尺寸?！?/p> 科銳CPW5系列Z-Rec碳化硅肖特基二極管包括1700V/50A、1200V/50A、650V/50A和650V/30A組合。新款CPW5二極管的裸芯獲取請聯(lián)系SemiDice。
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