Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的性能

21ic訊，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一個(gè)實(shí)現(xiàn)低熱阻的大尺寸漏極端子和在源極的Kelvin連接。超薄表面貼裝PowerPAK 8x8封裝符合RoHS，無(wú)鹵素，完全無(wú)鉛，可替換傳統(tǒng)的TO-220和TO-263封裝的產(chǎn)品，達(dá)到節(jié)省空間的效果。節(jié)省空間的MOSFET可替換TO-253 (D2PAK)封裝的器件，適用于通信、服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、照明和工業(yè)應(yīng)用。

PowerPAK® 8x8的結(jié)構(gòu)定義一個(gè)源極pin腳為專用的Kelvin源極連接腳，把柵極驅(qū)動(dòng)的返回路徑從主要承載電流的源極端子上分開。這樣就能防止在大電流路徑上出現(xiàn)L x di / dt電壓降，避免施加到E系列MOSFET上的柵極驅(qū)動(dòng)電壓出現(xiàn)跌落，從而在通信、服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、照明和工業(yè)應(yīng)用的電源實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更好的耐噪聲性能。

SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，在10V電壓下導(dǎo)通電阻低至0.135Ω，柵極電荷低至31nC。以及較低的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用里MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。這些數(shù)值意味著極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，在功率因數(shù)校正、反激式轉(zhuǎn)換器，服務(wù)器和通信電源的雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器，HID和熒光鎮(zhèn)流器照明，消費(fèi)和計(jì)算設(shè)備電源適配器，電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能電池逆變器，以及感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備中可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

這些MOSFET可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖，保證極限值100%通過UIS測(cè)試。

SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十六周。