LED產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵設(shè)備的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展到今天，LED產(chǎn)業(yè)裝備配套能力有了很大進(jìn)步。LED在封裝、焊接、固化、真空處理、檢測(cè)等相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域也已經(jīng)有較大進(jìn)步，但在核心的自動(dòng)化裝配方面還是比較落后，對(duì)進(jìn)口設(shè)備的依存度很大，外延和芯片制造的設(shè)備更是如此。材料領(lǐng)域，面向封裝和應(yīng)用的材料配套已經(jīng)比較完備，包括環(huán)氧樹(shù)脂、金屬支架和封裝套件、模條、金絲、硅鋁絲、銀膠、高溫膠帶、工夾具等。對(duì)如何加快LED設(shè)備材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，除了國(guó)家在政策上加大對(duì)設(shè)備生產(chǎn)的扶植力度外，設(shè)備廠家還需要依靠具備強(qiáng)大的機(jī)械加工和系統(tǒng)設(shè)計(jì)能力的企業(yè)做支撐，共同進(jìn)行LED產(chǎn)業(yè)設(shè)備及工藝技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)。

MOCVD設(shè)備的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

外延技術(shù)與設(shè)備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(Metal-Organic Chemical VaporDeposition，簡(jiǎn)稱MOCVD)技術(shù)生長(zhǎng)III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。II、III族金屬有機(jī)化合物通常為甲基或乙基化合物，如：Ga(CH3)3，In(CH3)3，Al(CH3)3，Ga(C2H5)3，Zn(C2H5)3等，它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。用氫氣或氮?dú)庾鳛檩d氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與V族的氫化物（如NH3，PH3，AsH3）混合，再通入反應(yīng)室，在加熱的襯底表面發(fā)生反應(yīng)，外延生長(zhǎng)化合物晶體薄膜。