日前，RF Micro Devices（RFMD）宣布推出專有微機電系統 (MEMS) － 面向 RF 及其他應用的技術。RFMD 期望其專有的 MEMS 技術將在 RF 及其他應用中實現突破性的性能及空前水平的功能整合。
RFMD 推出的第一批 RF MEMS 器件將是面向 3G 多模手機的 RF MEMS 發(fā)送/接收開關及 RF MEMS 模式開關。通過極大減小產品占位面積并提高效率，從而延長手機通話時間，RFMD 的 MEMS 開關技術將有助于加速 3G 部署。當與面向前端解決方案（GaAs、SOI 及硅）的 RFMD 業(yè)界領先工藝技術相結合時，RFMD 的 RF MEMS 開關技術將樹立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標準。
RFMD 的 MEMS 開關還將在功率放大器 (PA) 的輸出電路中使用，以創(chuàng)建可調諧的 PA，公司預計這將實現真正自適應的收發(fā)器解決方案。
RFMD 研發(fā)副總裁 Victor Steel 指出：“RFMD 專有 MEMS 技術的商業(yè)化以及我們 200mm MEMS 研發(fā)制造廠的建設強調了 RFMD 不斷致力于通過一流的創(chuàng)新實現產品領先地位。RFMD 是唯一能夠將混合信號 CMOS、功率管理、功率放大器、RF 開關及 RF MEMS 結合在低成本晶圓級封裝的單片解決方案中的公司。隨著我們業(yè)界領先 MEMS 功能的商業(yè)化，我們將能夠進一步提供可預計并超出我們客戶日益增長的 RF 需求的高整合度 RF 解決方案?！?/P>
加州大學圣地亞哥分校教授 Gabriel M. Rebeiz 強調：“現有 RF MEMS 開關技術基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術，這最終會增加器件成本。RFMD 方法及其硅片上的高整合度針鋒相對地解決了這一問題，并最終將提高產量及性能以及極大降低成本。”
RFMD 的 RF MEMS 開關為高功率歐姆接觸式 MEMS 開關，它們是 RF CMOS SOI 晶圓上后處理的 IC，密封在晶圓級封裝 (WLP) 電介質圓頂中。使 RF MEMS 開關運行所需的所有必要電路均被集成到了基本 CMOS 中，包括可靠接通功率 MEMS 開關所需的大電壓及控制信號的產生。RF MEMS 開關完全支持 RFMD 苛刻的蜂窩 RF 功率模塊要求，包括低插損及高隔離（典型0.2dB/35dB @ 1.9GHz）以及高諧波抑制（典型>90dBc），同時還符合嚴格的可靠性及設計與生產成本要求。
除 RF MEMS 開關外，RFMD 還正在積極推動其他 MEMS 器件的商業(yè)化，例如 RF MEMS 濾波器、RF MEMS 共鳴器（晶體替代器件）及 MEMS 傳感器。公司期望其 MEMS 技術連同其在高性能射頻系統中的現有核心能力將最終實現能夠適應任何無線協議 – 蜂窩或非蜂窩 – 的單片前端及軟件定義無線電。
RFMD 將構建 200mm 研發(fā)晶圓制造廠以支持其不斷的 MEMS 開發(fā)。該 MEMS 研發(fā)制造廠將與 RFMD GaN 研發(fā)機構共同位于北卡羅萊納 Mooresville 的新工廠中。
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