繼集中測試系統(tǒng)設備后，從2010年4、5月份開始，TD-LTE工作組陸續(xù)開展了終端芯片的測試以及芯片和系統(tǒng)之間的互操作測試。在工作組的階段性結論中，基帶芯片依然是終端成熟之路上較大的瓶頸之一。
終端轉(zhuǎn)型還需時間
關于TD-LTE技術試驗，王志勤重點提到了終端芯片的測試進展，特別是基帶芯片的能力問題。“從整體來看，終端芯片尤其是基帶芯片的成熟還需要進一步加快。后續(xù)，芯片企業(yè)將加快多模多頻商用芯片的研發(fā)。”
在工作組給出的終端基帶芯片測試進展表上可以看到，參與的終端芯片廠家包括海思、創(chuàng)毅視訊、Sequence、三星、中興微電子、ST-Ericsson、聯(lián)芯等十多家。其中，3家ASIC芯片廠商開展了2.3GHz測試，近期有2家芯片企業(yè)開始進行2.6GHz測試。
工作組預測，從支持2.3GHz頻段轉(zhuǎn)為支持2.6GHz頻段，終端芯片的轉(zhuǎn)型還需要比較長的時間。
中國移動尤為關注高通的進展，據(jù)悉，高通即將在近期正式參與TD-LTE芯片測試。
此前，高通的業(yè)界首款支持多模3G/LTE的單芯片已在世博會上展出。按其計劃，終端領域首款采用高通芯片的TD-LTE產(chǎn)品預計2011年中正式推出。
不約而同，大唐也表示要在今年底推出支持TD-SCDMA/TD-LTE雙模的終端芯片，包括大唐在內(nèi)的更多廠商都表示要在2011年初至年中推出供業(yè)務測試的TD-LTE數(shù)據(jù)卡。
2.6GHz芯片性能有待提高
基于終端測試的持續(xù)推進，工作組已開始對包括海思、Sequence等在內(nèi)的廠商進行2.6GHz芯片測試，截至目前，海思芯片的表現(xiàn)更勝一籌，工作組稱其“領先性比較明顯”，但同時也表示“整體上，終端芯片的整體功能和性能離實際商用的要求還有一段距離”。
下一步，工作組從12月份針對2.6GHz頻段的終端芯片測試工作將加大。
2011年啟動終端一致性測試
TD-LTE終端產(chǎn)品成熟的一個重要標志是終端一致性測試能力的完善。終端一致性包括射頻一致性測試、無線資源管理一致性測試、協(xié)議一致性測試等。
基于國內(nèi)外測試儀表廠家持續(xù)投入與終端芯片廠商進行合作，2011年TD-LTE技術試驗中將逐步開展終端一致性測試。目前2.3GHz芯片已支持基本的功能、性能和射頻指標，開始了一些組合Uu接口IOT測試，近期廠商們也陸續(xù)開發(fā)出2.6GHz芯片，TD-LTE工作組對其還將加強功能、性能、Uu接口IOT測試，并促使芯片產(chǎn)業(yè)鏈加快多模多頻芯片的開發(fā)和測試。
在TD-LTE測試儀表陸續(xù)推出的同時，國際認證一致性項目驗證也即將啟動。據(jù)悉，TD-LTE工作組也正在積極組織一致性測試儀表與芯片的聯(lián)調(diào)和驗證工作。目前測試廠商Anite與海思、創(chuàng)毅視訊提供的終端進行協(xié)議一致性測試驗證，以及測試廠商R&C與海思的終端進行協(xié)議一致性測試驗證，都已完成了52項。
王志勤在接受本刊記者采訪時還提到，在終端一致性測試上，國外與國內(nèi)測試儀表廠商的創(chuàng)新和參與力度也非常積極，除了國際測試巨頭憑借實力繼續(xù)在儀表和技術方面提供主力支持，一致性測試也給國內(nèi)專業(yè)性的測試企業(yè)提供了機會，但整體實力上國內(nèi)測試企業(yè)還沒有真正強大的，專業(yè)性廠商可以在終端一致性測試等環(huán)節(jié)上挖掘機會。
記者觀察：
LTE終端的成熟取決于集成電路技術與工藝
針對LTE的數(shù)據(jù)業(yè)務，TD-LTE數(shù)據(jù)卡至少需要65nm工藝的支持才能滿足市場需要，65nm工藝也是今年TD-LTE技術試驗中的重點內(nèi)容。
在2011年的規(guī)模試驗中，65/45nm工藝以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模終端有望參與測試；手機測試樣機也將參與規(guī)模試驗，包括雙待終端、單待終端。
而到2012-2013年的試商用/商用階段，28nm工藝有望得到測試和應用，將極大提高TD-LTE終端的成熟和性價比，多模手機也將成為主流。（中國移動研究院院長 黃曉慶）
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