三星電子成功量產20納米DRAM，展示了在半導體領域的主導地位。
三星電子3月11日發(fā)布稱“公司在全球率先啟動了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產工作”。1納米等于十億分之一米，20納米僅相當于頭發(fā)絲粗細的2500分之一，20納米DRAM就是用如此纖細的銅線制作的半導體。三星電子Nand閃存部門從2012年開始量產10納米半導體，但由于DRAM結構復雜，而且需要高速運轉，始終無法突破25納米的技術瓶頸。
具備20納米DRAM量產系統(tǒng)之后，生產成本有望大幅下降。20納米DRAM的生產效率將比25納米高出30%以上，比30納米級DRAM的效率高出一倍。因為DRAM芯片通過切割大小相同的晶圓制造而成，線的直徑越小，芯片就越小，同樣的材料和時間就能制作出更多芯片。
更大的優(yōu)點在于節(jié)省用電，電路越纖細，所耗電力越少，20納米DRAM的耗電量可以比25納米DRAM減少25%左右。三星電子存儲芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營銷組長（副社長）全永鉉說“將低耗電的20納米DRAM用到電池容量有限的智能手機或平板電腦上，可以提高設備效率”，“由于售價相對較高，利潤空間也相對較大”。
成功利用原有設備量產新產品，也是20納米DRAM的一大特征。如果要開發(fā)新的微細工藝，置辦一系列生產設備，需要投入數千億韓元乃至數萬億韓元資金。但三星電子通過獨家改良勾畫半導體線路的光刻技術，找到了可以有效利用原有設備的道路。全副社長強調“這次研究還為量產10納米級DRAM打下了技術基礎”。
三星成功量產20納米DRAM之后，進一步拉大了與競爭企業(yè)之間的差距。市場調查企業(yè)“DRAM eXchange”公司消息稱，三星電子去年在全球DRAM市場的份額為36.7%，在Nand閃存市場的份額為38.4%，在存儲芯片市場穩(wěn)固占據著第一的位置。在存儲芯片市場，SK海力士與美國美光正奮力追擊三星電子。截止2000年代末，DRAM市場還是韓國幾家企業(yè)、日本爾必達、德國奇夢達、美國美光、臺灣南亞與力晶等共同角逐的舞臺，奇夢達和力晶等企業(yè)因為用低于成本價的價格進行“出血競爭”，最終與2010年前后宣告破產。爾必達也在去年破產，拿下掛了13年的店招，改名為美光日本。
業(yè)界認為，量產20納米級DRAM將使三星進一步強化行業(yè)主導權。包括爾必達工廠在內，美光去年第四季度20納米生產工程的比重也只占整體的21%，大幅落后于三星電子（68%）和SK海力士（63%），差距在兩年以上。產業(yè)研究院研究委員朱大永（音）分析稱“相較于已經停滯的電腦市場，量產的20納米DRAM將主攻成長勢頭強勁的手機設備市場，以此為中心提高三星的競爭力”，“隨著移動設備市場的擴大，三星電子半導體部門的業(yè)績也會大幅上升”。
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