中國窮學生發(fā)明新晶體管技術震驚世界

國外媒體報道，美國倫斯勒理工學院中國博士生Weixiao Huang發(fā)明了一種新的晶體管技術，有望取代高功率和高溫電導特性的硅晶體管，目前已經引起了美國和日本一些大汽車公司的注意。

Huang出身低微，是中國鄉(xiāng)下一位農民的兒子，2001年畢業(yè)于北京大學，2003年獲倫斯勒理工學院碩士學位，這兩天將拿到倫斯勒理工學院博士學位。

一些基于鎵的材料具有某些極其出色的電氣特性，遠遠優(yōu)于硅，但是要制造出晶體管來比較困難，Huang開發(fā)出了一種使用鎵氮化物（GaN）混合材料的新晶體管，它具有非常好的物理屬性，可以大大降低功耗，改善電子系統(tǒng)的效率，也能夠工作在高溫、大功率乃至產生輻射的嚴苛環(huán)境下，在各種電子設備、汽車動力、家用設備等里面都有廣闊的應用前景。