76歲DRAM芯片發(fā)明者下周將獲IEEE榮譽勛章

600)this.style.width=600;" border="0" />

IBM研究人員羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)

北京時間6月19日中午消息，據(jù)國外媒體報道，76歲的IBM研究人員羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)將于下周四獲得“電氣電子工程師協(xié)會”(IEEE)發(fā)的榮譽勛章。

登納德在IBM工作了51年，其主要成就有兩項：1960年代末發(fā)明的DRAM內(nèi)存芯片和1970年代中期發(fā)表的標(biāo)度理論(scaling theory)。標(biāo)度理論闡述了如何不斷縮小晶體管尺寸，開發(fā)更小、更快、更廉價芯片的方法。登納德稱標(biāo)度理論和摩爾定律“相得益彰”。

如果沒有DRAM芯片，計算機內(nèi)存的情形將與目前的硬盤和筆記本電池相似。登納德回憶說，1960年代末，IBM大型主機主要使用磁芯存儲器。磁芯存儲器不但容易損壞，而且價格昂貴、速度慢，但其一個優(yōu)點是具有非揮發(fā)性，即使斷電后保存的數(shù)據(jù)也不會丟失。

當(dāng)時，所有其他研究人員的存儲芯片原型都采用多晶體管設(shè)計，設(shè)計復(fù)雜，造價昂貴。為了解決這一問題，部分研究人員開始測試雙極晶體管。但登納德看好金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(以下簡稱“MOSFET”)，他承認(rèn)，“MOSFET確實不夠先進(jìn)，而且存在一些問題，但我仍然認(rèn)為它非常有前途?！?/FONT>